HVV0405-175的性能超過雙級和LDMOS晶體管的片內FLASH
發布時間:2021/12/15 22:49:46 訪問次數:747
模塊DP數據轉發、長發故障的判斷,讀取監控電源的狀態,通道燈的狀態顯示等基本由硬件邏輯完成。
硬件可編程邏輯器件選用Xilinx公司性價比相對較高的spartan-6系列的xc6slx9器件,它具有5720個LUT(查找表),9152個L(C邏輯單元),11440個FK觸發器),32個BlockRAM(18KbEach),最大用戶引腳102個,144-pinTQFP封裝。
HVV0405-175 高電壓垂直場效應電晶體(HVVFET)適用于 UHF 頻帶的雷達應用。
UHF HVVFET 在額定輸出功率和工作電壓下,在整個頻帶和所有相位下能經受住相當于20:1 VSWR的輸出負載失配,從而提升系統可靠性。
HVV0405-175 的性能超過雙級和 LDMOS 晶體管,可讓設計師取消功率放大器(PA)中的放大級,減少零件數并降低 PCB 空間需求。HVVFET 技術中高級別的耐用性和可靠性還可讓設計師取消大體積高成本的隔離器,從而減小系統的體積和重量。
通過設置底座上的終端電阻,在下級DP總線網絡中可作中間節點,也可作末端節點。
Symwave(芯微技術)發布符合USB3.0規范的物理層(PHY)解決方案。并首次在加州圣荷西舉行的超高速USB開發會議(SuperSpeed USB Developer Conference)中,以超高速5Gbps進行現場展示,較目前速度最快的USB裝置速度提升了十倍。
在此會議中,也同時首次公開發行最新的1.0版規范。SuperSpeed USB可與目前已出貨超過100億個USB設備向下兼容,不但能提升高達10倍的傳輸速度,同時還能提高功耗效能。
模塊DP數據轉發、長發故障的判斷,讀取監控電源的狀態,通道燈的狀態顯示等基本由硬件邏輯完成。
硬件可編程邏輯器件選用Xilinx公司性價比相對較高的spartan-6系列的xc6slx9器件,它具有5720個LUT(查找表),9152個L(C邏輯單元),11440個FK觸發器),32個BlockRAM(18KbEach),最大用戶引腳102個,144-pinTQFP封裝。
HVV0405-175 高電壓垂直場效應電晶體(HVVFET)適用于 UHF 頻帶的雷達應用。
UHF HVVFET 在額定輸出功率和工作電壓下,在整個頻帶和所有相位下能經受住相當于20:1 VSWR的輸出負載失配,從而提升系統可靠性。
HVV0405-175 的性能超過雙級和 LDMOS 晶體管,可讓設計師取消功率放大器(PA)中的放大級,減少零件數并降低 PCB 空間需求。HVVFET 技術中高級別的耐用性和可靠性還可讓設計師取消大體積高成本的隔離器,從而減小系統的體積和重量。
通過設置底座上的終端電阻,在下級DP總線網絡中可作中間節點,也可作末端節點。
Symwave(芯微技術)發布符合USB3.0規范的物理層(PHY)解決方案。并首次在加州圣荷西舉行的超高速USB開發會議(SuperSpeed USB Developer Conference)中,以超高速5Gbps進行現場展示,較目前速度最快的USB裝置速度提升了十倍。
在此會議中,也同時首次公開發行最新的1.0版規范。SuperSpeed USB可與目前已出貨超過100億個USB設備向下兼容,不但能提升高達10倍的傳輸速度,同時還能提高功耗效能。