單個IC上集成了初級和次級控制器以及安全級反饋

發布時間:2021/12/17 17:47:47 訪問次數:157

雙層晶體管像素堆疊式CMOS圖像傳感器技術,飽和信號量約提升至2倍，使動態范圍擴大并降低噪點。

傳統 CMOS 圖像傳感器的光電二極管和像素晶體管分布在同一基片，而索尼的新技術將光電二極管和像素晶體管分離在不同的基片層。

與傳統圖像傳感器相比，這一全新的結構使飽和信號量約提升至原來的 2 倍，擴大了動態范圍并降低噪點，從而顯著提高成像性能。采用新技術的像素結構，無論是在當前還是更小的像素尺寸下，都能保持或是提升像素現有的特性。

750V PowiGaN處級開關的離線CV/VV 零開關電壓(ZVS)反激開關器,能極大改善反激功率轉換器的效率,特別是那些需要緊湊外形尺寸的應用.

InnoSwitch4-CZ系列在單個IC上集成了初級和次級控制器以及安全級反饋.

穩態開關頻率高達140kHz以最大限度降低變壓器尺寸.器件還具有同步整流驅動器和次級邊檢測,獨立于外接元件的卓越的CV/CC精度.器件集成了FluxLinkTM,HIPOT隔離和反饋鏈,采用外接檢測電阻可調整輸出電流的檢測.

氮化鎵(GaN) 功率半導體。該系列產品屬于意法半導體的STPOWER 產品組合，能夠顯著降低各種電子產品的能耗和尺寸。

該系列的目標應用包括消費類電子產品的內置電源，例如，充電器、PC機外部電源適配器、LED 照明驅動器、電視機等家電。

消費電子產品內置電源的全球產量很大，如果提高能效，可大幅減少二氧化碳排放。在功率更高的應用中，意法半導體的 PowerGaN器件也適用于電信電源、工業驅動電機、太陽能逆變器、電動汽車及其充電設施。

(素材來源：eccn和21ic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）