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VP系列電容器磁存儲器元件集成到高性能邏輯基中

發布時間:2022/2/2 19:49:37 訪問次數:607

存內計算給MRAM提供了新的思路,過去MRAM磁阻內存很難用于存內計算,因為MRAM在標準的存內計算架構中無法發揮低功耗優勢。

三星公司成功開發出新的MRAM陣列,通過新型“電阻”和計算架構,替換當前采用的架構。

MRAM有20多年的發展歷史,但是由于其電阻特性,商用之路極其緩慢,本次三星與哈佛大學的新研究可能解決了這一障礙,MRAM從此更近一步。

2003年,IBM和英飛凌將磁存儲器元件集成到高性能邏輯基中,開發出當時 “最先進的MRAM”。


VP系列電容器采用低電阻、高溫電解液和高效原材料開發而成,通過在高溫下降低電阻來滿足設計小型化的特殊要求,這也有助于延長電路的壽命。

VP系列提供 10、16、25 和 35V至 10,000 μF參數,以及從10×12.5mm至18×40mm各種尺寸。這些電容器具有RoHS 合規性和“無鹵素”屬性。

在高溫下提供更低電阻:VP系列電容器在-40°C至+135°C溫度范圍內具有出色的高可靠性,并且在高壓和高溫下的電容變化率較低,因此具有特別高的電氣可靠性和較長的使用壽命。

uClamp 0511T和uClamp 1211T手機保護器件具有低高度、低漏電和低電容,在便攜應用中,該器件設計取代了多層變阻器(MLV)。

雙向uClampxx11T器件采用2引腳SLP1006P2T 1.0x0.6x0.4-mm封裝。

該系列在125度額定溫度時,電容范圍為470 nf~35nf,額定電壓為25~1,000 V,150度時和更高溫度時將比正常電容額定值略低一些。

VP系列還符合AEC-Q200標準,非常適合用于再生制動系統,電動汽車的電源和LED應用。

(素材來源:轉載自網絡,如涉版權請聯系刪除,特別感謝)

存內計算給MRAM提供了新的思路,過去MRAM磁阻內存很難用于存內計算,因為MRAM在標準的存內計算架構中無法發揮低功耗優勢。

三星公司成功開發出新的MRAM陣列,通過新型“電阻”和計算架構,替換當前采用的架構。

MRAM有20多年的發展歷史,但是由于其電阻特性,商用之路極其緩慢,本次三星與哈佛大學的新研究可能解決了這一障礙,MRAM從此更近一步。

2003年,IBM和英飛凌將磁存儲器元件集成到高性能邏輯基中,開發出當時 “最先進的MRAM”。


VP系列電容器采用低電阻、高溫電解液和高效原材料開發而成,通過在高溫下降低電阻來滿足設計小型化的特殊要求,這也有助于延長電路的壽命。

VP系列提供 10、16、25 和 35V至 10,000 μF參數,以及從10×12.5mm至18×40mm各種尺寸。這些電容器具有RoHS 合規性和“無鹵素”屬性。

在高溫下提供更低電阻:VP系列電容器在-40°C至+135°C溫度范圍內具有出色的高可靠性,并且在高壓和高溫下的電容變化率較低,因此具有特別高的電氣可靠性和較長的使用壽命。

uClamp 0511T和uClamp 1211T手機保護器件具有低高度、低漏電和低電容,在便攜應用中,該器件設計取代了多層變阻器(MLV)。

雙向uClamx11T器件采用2引腳SLP1006P2T 1.0x0.6x0.4-mm封裝。

該系列在125度額定溫度時,電容范圍為470 nf~35nf,額定電壓為25~1,000 V,150度時和更高溫度時將比正常電容額定值略低一些。

VP系列還符合AEC-Q200標準,非常適合用于再生制動系統,電動汽車的電源和LED應用。

(素材來源:轉載自網絡,如涉版權請聯系刪除,特別感謝)

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