24.9平方毫米可彎曲基板上的關鍵技術以優化發射耗電量
發布時間:2022/2/27 20:38:52 訪問次數:109
0.8微米金屬氧化物軟性技術的最快速8位元微控制器(MCU),能夠即時運算復雜的組合程式碼。
該MCU以獨特的數位設計流程,可建立一個新的金屬氧化物薄膜技術標淮元件庫。imec合作伙伴PragmatIC Semiconductor所提供的強化薄膜科技,是將約16,000個金屬氧化物薄膜電晶體(TFT)整合在一片24.9平方毫米可彎曲基板上的關鍵技術。
室內燈具的固定一般需要用到掛線盒和木臺兩種配件,木臺先固定在屋頂或墻上,然后將掛線盒固定在木臺上。木臺安裝前應先進行加工,在木臺面上用電鉆鉆三個孔,孔的大小應根據導線截面積選擇,一般為φ3~4mm。
SKY68031-11多頻段RF IoT前端模塊。這款低矮型模塊支持LTE-M和NB-IoT收發器平臺,輸出功率高達+23.5 dBm,經過優化可支持1到6個LTE資源塊 (RB)。Skyworks Solutions SKY68031-11模塊集成完整的射頻前端,可支持LTE多頻段無線電在低頻段(5、8、12、13、14、17、18、19、20、26、28、85)和中頻段(1、2、3、4、25、39、66、70)下運行。
集成式低通濾波器可抑制功率放大器和收發器諧波,同時將后置功率放大器損耗降至極低,以優化發射耗電量。此模塊擁有非常出色的帶外發射性能,符合低頻段和中頻段3GPP標準。
專為最小邊緣設備上的高效人工智能而設計。Silicon Witchery聲稱其結合了微處理和FPGA設備。
S1旨在簡化您的設計并為您節省數月的RF HDI射頻高密度互連布局。S1是四個關鍵組件的結合,這對于開發微型電池供電產品至關重要。它滿足應用要求的苛刻算法,同時消耗盡可能少的功耗。
盡管S1模塊尺寸僅為11×6毫米(約0.43×0.24英寸),但它包含了四個關鍵模塊:帶有降壓-升壓轉換器的電源管理集成電路 (PMIC),并支持低壓穩壓器和電池充電功能;用于存儲的32Mb外部SPI閃存;具有64MHz Arm Cortex-M4微處理器的 Nordic nRF52840片上系統.
0.8微米金屬氧化物軟性技術的最快速8位元微控制器(MCU),能夠即時運算復雜的組合程式碼。
該MCU以獨特的數位設計流程,可建立一個新的金屬氧化物薄膜技術標淮元件庫。imec合作伙伴PragmatIC Semiconductor所提供的強化薄膜科技,是將約16,000個金屬氧化物薄膜電晶體(TFT)整合在一片24.9平方毫米可彎曲基板上的關鍵技術。
室內燈具的固定一般需要用到掛線盒和木臺兩種配件,木臺先固定在屋頂或墻上,然后將掛線盒固定在木臺上。木臺安裝前應先進行加工,在木臺面上用電鉆鉆三個孔,孔的大小應根據導線截面積選擇,一般為φ3~4mm。
SKY68031-11多頻段RF IoT前端模塊。這款低矮型模塊支持LTE-M和NB-IoT收發器平臺,輸出功率高達+23.5 dBm,經過優化可支持1到6個LTE資源塊 (RB)。Skyworks Solutions SKY68031-11模塊集成完整的射頻前端,可支持LTE多頻段無線電在低頻段(5、8、12、13、14、17、18、19、20、26、28、85)和中頻段(1、2、3、4、25、39、66、70)下運行。
集成式低通濾波器可抑制功率放大器和收發器諧波,同時將后置功率放大器損耗降至極低,以優化發射耗電量。此模塊擁有非常出色的帶外發射性能,符合低頻段和中頻段3GPP標準。
專為最小邊緣設備上的高效人工智能而設計。Silicon Witchery聲稱其結合了微處理和FPGA設備。
S1旨在簡化您的設計并為您節省數月的RF HDI射頻高密度互連布局。S1是四個關鍵組件的結合,這對于開發微型電池供電產品至關重要。它滿足應用要求的苛刻算法,同時消耗盡可能少的功耗。
盡管S1模塊尺寸僅為11×6毫米(約0.43×0.24英寸),但它包含了四個關鍵模塊:帶有降壓-升壓轉換器的電源管理集成電路 (PMIC),并支持低壓穩壓器和電池充電功能;用于存儲的32Mb外部SPI閃存;具有64MHz Arm Cortex-M4微處理器的 Nordic nRF52840片上系統.