BG150I07N10H5模塊拓撲結構，針對不同的應用領域，IGBT也展現出不同的技術特點。

光伏IGBT對于可靠性的要求非常高，新能源發電輸出的電能需要通過光伏逆變器將整流后的直流電逆變為符合電網要求的交流電后輸入電網，這種線路需要將IGBT模塊性能用到極致，所以對IGBT芯片也提出了更高的可靠性要求。

比亞迪半導體T型拓撲結構BG80T12G10S5模塊和I型拓撲結構模塊BG150I07N10H5,結構緊湊，封裝體積小,采用DBC工藝,采用IGBT5.0技術的低損耗IGBT4低寄生電感設計5耐沖擊能力6Pin針工藝.

測量時必須正確接線。手搖式兆歐表測量絕緣電阻時,一般只用“L”和“E”端。測量回路對地電阻時,“L”端接被測設各導體,“E”端接地線或金屬外殼;測量回路之問的絕緣電阻時,兩個回路分別與L、E連接。

對電容性較小的負載,拆線前要進行放電;對電容性較大的負載,拆線時保持兆歐表的轉速不變,用一只手拆下E端即負極接線端,然后再對被測設備放電,放電方法是將測量時使用的地線從搖表上取下來與被測設備短接一下即可,最后再拆線。

TobogGaN板的用戶可以使用提供I2C轉USB接口的插件板對其進行編程。另外，該參考設計通過附加的插件控制器板支持USB Type-C操作。

該系列使用自主研發芯片，關鍵器件實現國產化，具有快速交付、高性價比、高可靠性、小體積等優勢，為5G行業發展添磚加瓦。