4mΩ檢測電阻在10A時再度下降40mV。可能需要消耗更多的銅，特別是在SNS節點，以降低LTC4381的升溫。DC2713A-D SNS節點使用2.5cm2 2盎司銅，這些銅均勻分布在板的兩個外層上.

當ON引腳不與地相接后,電路啟動一個220μF負載電容,適用于48V和60V電源。假設60V為48V電源工作范圍的上限。假設啟動期間沒有額外的負載電流的情況下，220μF是這個10A電流能夠安全充電的最大負載電容。

當220μF電容按照12.5A電流限值充電至60V時，涌入時間為220μF×60V/12.5A=1.06ms。LTC4381 MOSFET的安全工作區域(SOA),顯示在12.5A和30V下它可以正常運行1ms。之所以使用30V，是因為它是平均輸入-輸出差分電壓，開始時為60V，之后降至0V。

離散存儲芯片和帶嵌入式FRAM存儲器的芯片。由于對FRAM存儲器的需求量不斷增長，富士通決定將存儲容量翻倍，開發并生產了MV85R2001和MB85R2002。

與電池供電的靜態隨機存取存儲器（SRAM）相比，FRAM無需使用電池，簡化了生產工藝，免除了使用FRAM時電池更換和產品維護的難題。與富士通的所有其它FRAM產品類似，MB85R2001和MB85R2002減少了材料的浪費，有利于環境保護。

新型2Mbit FRAM產品具有與當前生產的1Mbit FRAM產品（MB85R1001和MB85R1002）相同的電氣特性和TSOP-48數據包。只需附加連接一個地址，即可移植到2Mbit產品上。因此，在同一個印刷電路板上，根據所需的存儲容量，我們可以選擇使用1Mbit或2Mbit的FRAM。

產品的最大優勢在于功耗由以往的1.7mW/MIPS降低至0.9mW/MIPS，該功耗值不僅約為NEC電子以往同類產品的一半，而且還不到普通16位微控制器的平均1MIPS的功耗值/的一半。

在微控制器內部，為了能以最佳狀態處理電氣信號，數字部分僅處理數字信號，模擬部分則負責數字信號和模擬信號的轉化，這兩部分有很大的差別。