NSi66x1A內部集成彌勒鉗位采用UL-94V0材料加以制造

發布時間:2022/7/19 17:48:48 訪問次數:57

NSi66x1A和NSi6601M雙雙發布，均適用于驅動SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具車規（滿足AEC-Q100標準）和工規兩種等級，廣泛適用于新能源汽車、空調、電源、光伏等應用場景。

高環境溫度（可長期運行在環境-40℃～+85℃工作條件下）、PWM調光、遠程開/關等功能，該產品功率密度高、符合ROSH指令、產品采用UL-94V0材料加以制造、可靠性高（MTBF>2000000小時）。

節省了Buffer電路的費用和PCB的體積，同時還不需要額外的電路做匹配，增加了系統的穩定性。此外，NSi66x1A內部集成彌勒鉗位，支持分離輸出，使用簡單，外圍器件更少，凸顯性價比。

并聯電路:

總電流等于各處電流之和:I=I1+I2。

各處電壓相等:U=U1=U2。

總電阻等于各電阻之積除以各電阻之和:1/R-1/R1+1R2[R=R1R7(R1+R2)]。

I1/I2=R2/R1(分流公式)。

P1/P2=R2/R1。

總電功等于各電功之和:

W=W1+W2。

I1:12=R2:R1。

w1:・Wˉ2-11:12-R2:R1。

結構光或主動立體視覺等3D傳感技術需要近紅外圖像傳感器，以實現眼動和手勢追蹤、物體檢測、深度測繪等功能。Mira220將推動2D或3D傳感在增強現實和虛擬現實產品、無人機、機器人和自動駕駛汽車等工業應用以及在智能門鎖等消費設備中的應用。

Mira220具有高量子效率，使設備制造商能夠降低2D和3D傳感系統中與圖像傳感器一起使用的近紅外照明器的輸出功率，從而降低總功耗。

Mira220功耗極低，睡眠模式下僅為4mW，待機模式下為40mW，在全分辨率和90fps下功耗為350mW。因此，可穿戴設備和便攜式設備制造商能夠指定使用較小的電池來節省空間，或延長充電后的使用時間。