三極管的放大倍數(乃FE)是三極管在放大狀態下集電極電流與基極電流之比,即hFE=ic/ibc。NPN型三極管放大倍數的檢測電路。

NPN型三極管放大倍數的檢測電路，一般小信號放大用三極管的基極一發射極電壓ubc=0.6V,電源電壓為6V,基極電阻Rb的電壓降為6V-0.6V=5,4V,由此可求出基極電流,Fb=5.4V/510kΩ≈0.01mA,此時檢測集電極電流。三極管不同,放大倍數不同,所測得的集電極電流不同。

用電流表或萬用表電流擋測量三極管的集電極電流時,如測得的集電極電流為2mA,則飪E=2/0,01=200。三極管放大倍數測試電路的連接方法。

三極管放大倍數測試電路的連接方法，PNP型三極管放大倍數測試電路及電路連接方法，該電路與NPN測試電路相比,電池的極性反接。

20Vn通道功率MOSFET+肖特基二極管---SiB800EDK，該器件采用1.6mm×1.6mm的熱增強型 PowerPAK®SC-75封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在100mA時具有0.32V低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至1.5V柵極驅動時規定的額定導通電阻的MOSFET進行了完美結合。

將兩個元件整合到一個封裝中不僅節省了空間，而且包含溝槽肖特基二極管可保持較低的正向電壓，從而降低了電平位移應用中的壓降。

SiB800EDK具有0.960Ω（1.5V VGS 時）～0.225Ω（4.5V VGS 時）的低導通電阻范圍。1.5V時的低導通電阻額定值可使MOSFET與低電平時的信號一同使用。

整個芯片（內置儀表放大器與兩個運算放大器）的總功耗僅為2mA，可實現具有更大通道密度及更低成本的設計。

RF前端解決方案一種創新性架構，首次在單芯片上集成兩個完全匹配的功率放大器 (power amplifier, PA)。這種架構對外形尺寸和功耗進行了優化，使制造商能夠支持計算和嵌入式系統中的無線多媒體應用，同時滿足消費者在微型化、電池壽命和低成本方面越來越嚴苛的要求。

SE2566U是業界唯一一款集成了兩個2.4GHz完全匹配功放的RF前端解決方案。