2nm芯片研發中心，該設施將由計劃今年首次亮相的日本新芯片研究機構建立。

5.5萬片28/22至16/12nm邏輯芯片的代工廠,尺寸正以每代縮小70%的規律發展。在圖4中，日本未能超越45nm，并且之后還將推進到32nm、22nm、16/14nm、10nm、7nm、5nm、3nm和2nm。

以日本勉強可以生產的45nm來看，2nm是領先九代的微型化水平。

把芯片微型化推進一代，必然會發現問題，并必須通過各種反復試驗來解決這些問題。晶體管形狀在28/22nm之前是平面的，從16nm開始的FinFET和從2nm開始的Gate-All-Around（GAA）的變化，如果不采用新的結構，就無法達到預期的性能。而且，除了晶體管之外，還有許多其他因微型化而被發現的問題。

如果再做一個升壓電路或者其他方式得到一個33V電壓那是不是成本會升高，這不是我們追求的，所以需要另想辦法來解決這個問題,N管的閾值電壓是3V那也就是說Vgs壓差到達3V就可以，注意的這里說的是壓差，不是對地壓降。

MOS管持續穩定導通，需要滿足Vgs≥3V，所以需要以S端為地，踩在S端需要G端電壓根據S端電壓變化而變化，一個小船攜帶12V的電壓漂浮在海平面上與海平面形成12V壓差。

卡入式端子的新型EDLC超級電容（雙電層電容）。WCAP-SISC系列有100F和350F兩種容量，是有高功率和高能量需求，例如UPS和儲能產品的完美解決方案。它們可用于智能計量儀器、網絡設備和能量收集等，額定電流高達75A。

遠高于傳統電容的能量密度使得雙電層超級電容WCAP-SISC成為電池的環保替代品。與鋰離子電池相比，采用活性炭技術的超級電容具有眾多優勢，例如充電速度快、可循環充放電500,000 次的極長命以及火災風險更低。

WCAP-SISC電容容差為‑10/+30%，額定電壓為2.7V，工作溫度-40°C至+65°C 。