重定時器和信號中繼器是設計高速USB4接口常用的器件。它們需要電路板走線變更短，從而降低寄生電感，但也會意外地降低整體系統級ESD穩健性。

PESD2V8Y1BSF和PESD4V0Y1BCSF較低的超快傳輸線路脈沖(vfTLP)峰值鉗位電壓，甚至低于標準I(V)TLP曲線中無明顯的觸發電壓的USB4保護解決方案。這有助于補償保護器件和重定時器之間減少的電感，從而提高整體系統級ESD穩健性。

為達到ESD的預算損耗建議值，這兩款器件均可提供超低插入損耗（10GHz下為-0.29dB）和回波損耗（10GHz下為-20.6dB）。

與其他解決方案不同的是，電容不會隨工作電壓增加，可提供完整的RF性能直到反向截止電壓。

電平轉換器系列的新晉產品：NXT4557GU和NXT4556UP。新器件可實現下一代低壓手機基帶處理器與用戶身份模塊(SIM)卡的無縫連接。

隨著處理器的幾何尺寸向個位數納米節點發展，先進SOC的核心電壓也正逐漸下降。此發展趨勢導致對電壓轉換器的需求日益增加，以將SOC連接到其他標準處理設備和I/O端口（如傳統的Class B和Class C SIM卡）。

以上工作范圍讓這兩款器件能夠適配傳統的Class B(3.0V±10%)和Class C(1.8V ±10%)的電壓等級，同時還能保持與未來SIM卡接口標準的電壓等級(1.2V±10%)相兼容。

升級版的40-297A(PXI)和新品42-297A(PXIe)模塊現在能提供更多的分辨率選擇 —— 0.125Ω、0.25 Ω、0.5Ω、1Ω、2Ω、4Ω和8Ω，其中一種6通道模塊的電阻范圍提高至85.3MΩ，設定準確度現在為±0.1%±分辨率(原系列為±0.2%±分辨率)。

這些新增的模塊使我們的仿真產品相比以前能夠適用于更多的應用。

2端口和4端口兩種型號，可配置2.4毫米或2.92毫米兩種連接器類型。同時，它提供輸出功率范圍擴展和第二個內置信號源選件。R&S ZNB43非常適合濾波器、耦合器和開關等無源器件的測試。當配備第二個內置信號源時，可成為測量混頻器和放大器等有源器件的多功能儀表。

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