中功率、高效OBC架構(3.3–7.4kW),傳統PFC中的二極管橋會浪費功率，因此高效架構將其替換為圖騰柱 PFC。圖騰柱PFC通過將傳導路徑中的半導體器件數量從三個減少到兩個來提高效率。

圖騰柱PFC 一直是許多理論研究的主題，但由于Si MOSFET體二極管的換向，Si MOSFET將其使用限制在臨界導通模式(CRM)操作和低功率應用中。

SiC MOSFET允許在連續導通模式(CCM)下運行，以實現高效率、低EMI和高功率密度。圖騰柱PFC現在在高效設計中被普遍接受。一種高效的中等功率設計可以實現 >98.5%的峰值AC/DC效率。整個系統的峰值效率約為96%。

應對電氣設備溫度，第一個考量就是加強散熱。首先要采取的預防措施是采用并實施一種策略來分散電氣和電子電路的熱量。散熱器的傳熱效率與散熱器與周圍空間之間的熱阻有關。

它測量材料散熱的能力。具有大表面積和良好空氣流通(氣流)的散熱器，提供最佳散熱。為此，必須安裝合適的散熱器，與相關方直接接觸。

通過系統內部金屬氧化物半導體場效應晶體管(Mosfet)的開/關來調節輸出功率，從而達到節能和調速的目的。

硅MOSFETs和二極管是首選，盡管它們在高功率應用方面與碳化硅相比有缺點。

顯示了一個增壓PFC和一個半橋式LLC轉換器;這種組合適用于低功耗、成本敏感的OBC應用程序。通常情況下，該結構從單相120-V/240-VAC電源提供一個相對較低壓的電池(<60V)，可以達到~93%的峰值系統效率。

對于中等功率架構，設計人員可以在成本敏感型和高效率選項之間進行選擇。中等功率成本敏感型設計使用與以前相同的PFC拓撲，但用全橋設計取代了半橋LLC DC/DC轉換器，以支持400V電池。使用更高的電池電壓，可以減少輸出整流器的功率損耗。

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