容錯控制IC相同功率模塊并聯封裝于高密度SM-ChiP模塊
發布時間:2022/11/20 1:04:53 訪問次數:140
輻射容錯DC-DC轉換器電源模塊,該模塊采用Vicor最新電鍍 SM-ChiP™封裝。ChiP可從100V的標稱電源為高達300瓦的低電壓ASIC供電,其經過波音測試,不僅能夠抵抗50 krad電離總劑量,而且還具備抗單粒子干擾(single-event upsets)的功能。
憑借冗余架構實現對單粒子干擾(single-event upsets)免疫,將兩個具有容錯控制 IC 的相同功率模塊并聯,封裝于高密度SM-ChiP模塊中實現抗干擾功能。
所有模塊都采用Vicor高密度SM-ChiP封裝,為上下表面提供有BGA(球柵陣列)連接和可選焊料掩模。ChiP的工作溫度為-30~125°C。
新型SensPro2系列高功效傳感器中樞DSP為情境感知設備日益復雜和多樣化的AI/傳感器工作負荷提供了可擴展的性能、多種精度和高利用率。
SensPro2系列已經擴展到包括七個矢量DSP內核,可在功率和性能方面進行擴展。全新入門級內核可滿足要求高達1 TOPS AI性能,而高端內核則可達到3.2 TOPS性能。
每個SensPro2系列成員均可配置針對個別應用的指令集架構(ISA),用于雷達、音頻、計算機視覺和SLAM,并可配置針對浮點和整數數據類型的并行矢量計算單元,從而獲得針對特定用例的最高效率傳感器中樞DSP。
經過整個航天工業檢驗的130nm CMOS技術設計,新器件兼備高工作速度、低工作電流和業內一流的高達300 krad(Si)TID的RHA(抗輻射加固保證)級別的抗輻射能力,在125 MeV.cm2/mg下無SEL 和 SET現象發生。
其1.8V至3.6V的電源電壓有助于滿足典型衛星和太空飛行器機載設備對功耗和能耗的嚴格限制。
SensPro2架構采用了一系列改善性能并提高多任務感測和AI用例的效率的技術升級,例如全新低功耗矢量DSP架構。對于汽車動力總成應用,升級后的浮點DSP具有高精度性能,并通過功能強大的處理器來滿足電氣化趨勢需求。
輻射容錯DC-DC轉換器電源模塊,該模塊采用Vicor最新電鍍 SM-ChiP™封裝。ChiP可從100V的標稱電源為高達300瓦的低電壓ASIC供電,其經過波音測試,不僅能夠抵抗50 krad電離總劑量,而且還具備抗單粒子干擾(single-event upsets)的功能。
憑借冗余架構實現對單粒子干擾(single-event upsets)免疫,將兩個具有容錯控制 IC 的相同功率模塊并聯,封裝于高密度SM-ChiP模塊中實現抗干擾功能。
所有模塊都采用Vicor高密度SM-ChiP封裝,為上下表面提供有BGA(球柵陣列)連接和可選焊料掩模。ChiP的工作溫度為-30~125°C。
新型SensPro2系列高功效傳感器中樞DSP為情境感知設備日益復雜和多樣化的AI/傳感器工作負荷提供了可擴展的性能、多種精度和高利用率。
SensPro2系列已經擴展到包括七個矢量DSP內核,可在功率和性能方面進行擴展。全新入門級內核可滿足要求高達1 TOPS AI性能,而高端內核則可達到3.2 TOPS性能。
每個SensPro2系列成員均可配置針對個別應用的指令集架構(ISA),用于雷達、音頻、計算機視覺和SLAM,并可配置針對浮點和整數數據類型的并行矢量計算單元,從而獲得針對特定用例的最高效率傳感器中樞DSP。
經過整個航天工業檢驗的130nm CMOS技術設計,新器件兼備高工作速度、低工作電流和業內一流的高達300 krad(Si)TID的RHA(抗輻射加固保證)級別的抗輻射能力,在125 MeV.cm2/mg下無SEL 和 SET現象發生。
其1.8V至3.6V的電源電壓有助于滿足典型衛星和太空飛行器機載設備對功耗和能耗的嚴格限制。
SensPro2架構采用了一系列改善性能并提高多任務感測和AI用例的效率的技術升級,例如全新低功耗矢量DSP架構。對于汽車動力總成應用,升級后的浮點DSP具有高精度性能,并通過功能強大的處理器來滿足電氣化趨勢需求。