ESD保護二極管產品系列，新產品的尺寸比上一代縮小67%，能夠承受最嚴格的IEC61000-4-2標準的 ESD測試脈沖，低鉗位電壓特性有助于提高對調制解調器等低壓芯片的保護性能。

ESDALCxx-1U2系列產品采用節省空間的ST0201封裝，占板面積為0.18mm2。在手機、GPS接收器和MP3播放器等便攜產品中，電路板需要提供空間安裝必要的保護器件，ESDALCxx-1U2系列微型電路保護器件大幅度降低對電路板空間的需求。

由于0.3x0.6 mm的尺寸匹配工業標準的0201微型貼裝無源器件外廓，電路板設計人員可以從現有的CAD組件庫中快速選擇最佳的焊盤布局。

新型20V和30V的p溝道TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP。器件采用SO-8封裝，具有±20V柵源極電壓以及業內最低的導通電阻。

現有的同類SO-8封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至24毫歐，而Vishay的Si7633DP具有3.3m毫歐（10V下）及5.5毫歐（4.5V下）的超低導通電阻。這些值比最接近的同類30V器件低27%（10V下）和28% （4.5V下），比最接近的同類25V SO-8器件分別低 28%和15%。30V Si7135DP的導通電阻為3.9毫歐（10V下）和6.2毫歐（4.5V下），比最接近的同類器件分別低13%和19.5% 。

兩款MOSFET均采用PowerPAK SO-8封裝，可容許比其他SO-8封裝器件高60%的最大漏電流和高75%的最大功率損耗。

用戶定義的電流限制級別可防止輸入電源電壓受到可能導致系統故障的過高負載電流的影響。為標記電流故障，如果該器件在電流限制條件下運行，CL針腳便會降低。

在關斷模式下，SiP4613A/B可將電源電流降至1μA以下。除電流限制外，SiP4613A/B還具有欠壓鎖定和熱關斷保護功能。通過在芯片結溫達到+165℃時關閉電源開關，并在此溫度降至+145℃以下前一直使電源開關保持關閉狀態，過溫保護電路可防止熱失控故障。

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