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嵌入式內存SoC芯片制程非常困難整合難度高芯片良率是個門坎

發布時間:2023/7/26 17:31:10 訪問次數:101

超高耐用度的,所以無論是對環境溫度的容忍范圍或者存取的次數,都能遠遠超過目前的解決方案,因此這些新的嵌入式內存技術就更運用在特定的市場。

10nm制程的技術,突破了目前NAND Flash的極限。 近期MRAM技術也宣布其制程可以達到10nm,甚至以下。嵌入式內存SoC芯片的制程非常困難,不僅整合難度高,芯片的良率也是一個門坎,都投入大量的人力在相關生產技術研發上。

嵌入式內存技術將會先運用在特定用途的SoC和MCU上,而隨著制程成熟與價格下降后,將會有更多的應用與市場。

閃存因為采電荷儲存為其數據寫入的基礎,因此其耐用度與可靠度在20nm以下,就會出現大幅的衰退,因此就不適合用在先進制程的SoC設計里。 

雖然可以透過軟件糾錯和算法校正,但這些技術在嵌入式系統架構中轉換并不容易。 所以結構更適合微縮的內存就成為先進SoC設計的主流。

Vectoring根據處理噪聲范圍的不同分為板卡級與系統級,板卡級的Vectoring將一塊板卡上面的所有銅纜放在一起進行串擾抵消,這種方式可以對單塊板卡上面的線纜進行集中處理。

通常會將不同板卡間的用戶線纜放到一捆大的線纜中,系統級的Vectoring很好地解決了這個問題,系統級的Vectoring對整個設備的所有線纜進行統一處理,消除串擾,保證了運營商在布線時的靈活性,符合現實網絡情況。

與Vectoring相比,G.fast技術能在200m的距離范圍內提供500Mbit/s~1Gbit/s的傳輸速率,能夠兼容VDSL2。不僅能夠解決用戶重新布線的難題,也能解決傳輸速率問題,可望逐步得到業界支持,不過由于目前尚未標準化,預計離實際應用還有較長時間。


超高耐用度的,所以無論是對環境溫度的容忍范圍或者存取的次數,都能遠遠超過目前的解決方案,因此這些新的嵌入式內存技術就更運用在特定的市場。

10nm制程的技術,突破了目前NAND Flash的極限。 近期MRAM技術也宣布其制程可以達到10nm,甚至以下。嵌入式內存SoC芯片的制程非常困難,不僅整合難度高,芯片的良率也是一個門坎,都投入大量的人力在相關生產技術研發上。

嵌入式內存技術將會先運用在特定用途的SoC和MCU上,而隨著制程成熟與價格下降后,將會有更多的應用與市場。

閃存因為采電荷儲存為其數據寫入的基礎,因此其耐用度與可靠度在20nm以下,就會出現大幅的衰退,因此就不適合用在先進制程的SoC設計里。 

雖然可以透過軟件糾錯和算法校正,但這些技術在嵌入式系統架構中轉換并不容易。 所以結構更適合微縮的內存就成為先進SoC設計的主流。

Vectoring根據處理噪聲范圍的不同分為板卡級與系統級,板卡級的Vectoring將一塊板卡上面的所有銅纜放在一起進行串擾抵消,這種方式可以對單塊板卡上面的線纜進行集中處理。

通常會將不同板卡間的用戶線纜放到一捆大的線纜中,系統級的Vectoring很好地解決了這個問題,系統級的Vectoring對整個設備的所有線纜進行統一處理,消除串擾,保證了運營商在布線時的靈活性,符合現實網絡情況。

與Vectoring相比,G.fast技術能在200m的距離范圍內提供500Mbit/s~1Gbit/s的傳輸速率,能夠兼容VDSL2。不僅能夠解決用戶重新布線的難題,也能解決傳輸速率問題,可望逐步得到業界支持,不過由于目前尚未標準化,預計離實際應用還有較長時間。


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