2.5x2mm2尺寸電感器在15mA負載電流條件下產生效率88%的+/-5V顯示電源
發布時間:2023/11/20 23:25:14 訪問次數:66
nvSRAM對于需要連續高速讀寫數據和絕對非易失性數據安全的應用來說，是非常理想的選擇。
關鍵任務系統需要能在掉電的瞬間立即可靠地捕獲數據的高性能存儲器。
16 Mb nvSRAM能夠實現絕對的數據安全，并且是業界最快的高容量NVRAM。ONFI 1.0可選接口能使采用NAND控制器的客戶也可以享受到我們nvSRAM無與倫比的性能。
半導體一系列16Mb非易失性靜態隨機存取存儲器（nvSRAM），包括具有異步并行和異步開放式NAND閃存接口（ONFI）標準1.0接口的器件。
以可達93%的效率為兩串或三串背光LED供電
使用2.5x2mm2尺寸的電感器在15mA負載電流條件下產生效率為88%的+/-5V顯示電源
模擬、PWM和混合調光
在低至1mA條件下實現+/-2.2%電流匹配精度，50μA條件下為+/-2.8%
2.5V-5V輸入電壓范圍
VP和VN輸出調節范圍：+/4.5V至+/-6V，步幅50mV
I2C接口，可調節輸出電壓設置
1uA關斷供電電流
A5100-A采用四星定位支持，精準度前所未有。借助CSR TricklePowerTM和Push-to-Fix (PtF)模式，A5100-A的首次定位時間 (TTFF)縮短達30%，功耗降低達20%。
A5100-A拈不僅可助力用戶縮短產品上市時間，同時由于它集成了溫度補償晶體振蕩器（TCXO）、SAW濾波器、實時時鐘（RTC）、天線控制機制以及用以軟件升級的閃存等豐富功能，并且可直接替換Maestro前代 SiRFstar4拈，因此可降低開發風險。
此外，這一插槽式設計也有助于實現極簡制造從而縮減組裝成本。
http://zpfykj.51dzw.com深圳市展鵬富裕科技有限公司
nvSRAM對于需要連續高速讀寫數據和絕對非易失性數據安全的應用來說，是非常理想的選擇。
關鍵任務系統需要能在掉電的瞬間立即可靠地捕獲數據的高性能存儲器。
16 Mb nvSRAM能夠實現絕對的數據安全，并且是業界最快的高容量NVRAM。ONFI 1.0可選接口能使采用NAND控制器的客戶也可以享受到我們nvSRAM無與倫比的性能。
半導體一系列16Mb非易失性靜態隨機存取存儲器（nvSRAM），包括具有異步并行和異步開放式NAND閃存接口（ONFI）標準1.0接口的器件。
以可達93%的效率為兩串或三串背光LED供電
使用2.5x2mm2尺寸的電感器在15mA負載電流條件下產生效率為88%的+/-5V顯示電源
模擬、PWM和混合調光
在低至1mA條件下實現+/-2.2%電流匹配精度，50μA條件下為+/-2.8%
2.5V-5V輸入電壓范圍
VP和VN輸出調節范圍：+/4.5V至+/-6V，步幅50mV
I2C接口，可調節輸出電壓設置
1uA關斷供電電流
A5100-A采用四星定位支持，精準度前所未有。借助CSR TricklePowerTM和Push-to-Fix (PtF)模式，A5100-A的首次定位時間 (TTFF)縮短達30%，功耗降低達20%。
A5100-A拈不僅可助力用戶縮短產品上市時間，同時由于它集成了溫度補償晶體振蕩器（TCXO）、SAW濾波器、實時時鐘（RTC）、天線控制機制以及用以軟件升級的閃存等豐富功能，并且可直接替換Maestro前代 SiRFstar4拈，因此可降低開發風險。
此外，這一插槽式設計也有助于實現極簡制造從而縮減組裝成本。
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公網安備44030402000607
