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PSFB拓撲用作雙向DC/DC階段在不改變傳統拓撲標準或構造情況下

發布時間:2024/1/17 13:25:51 訪問次數:46


在電機驅動部分,方案采用集成預驅與6顆IGBT管的IPM來做電機的電子換相控制。核心芯片采用的是onsemi旗下的NFVA35065L32-D。

一顆帶有功能安全的電源管理芯片FS2600,該芯片具有多個BUCK、BOOST輸出以及LDO穩壓器,可為MCU、SENSOR、外設IC和通信接口供電。

FS2600B具有豐富的監控診斷功能。在系統運行時,FS2600與FC4150通過SPI通信,能夠提供潛在的故障監測,極大增強了系統的安全特性。



數字芯片,還可以進一步細分,分為:邏輯芯片、存儲芯片以及微控制單元(MCU)。

邏輯芯片,其實說白了就是計算芯片。它包含了各種邏輯門電路,可以實現運算與邏輯判斷功能,是最常見的芯片之一。

大家經常聽說的CPU、GPU、FPGA、ASIC,全部都屬于邏輯芯片。而現在特別火爆的AI,用到的所謂“AI芯片”,也主要是指它們。

在這個架構中,包括了運算器(也叫邏輯運算單元,ALU)、控制器(CU)、存儲器、輸入設備、輸出設備等組成部分。


SMD封裝技術以及創新的堆疊磁性結構,本方案可實現4.34 W/cm³(71.19 W/in³)的功率密度,再一次證明了PSFB拓撲可以用作雙向DC/DC階段。并且在不改變傳統拓撲標準或構造的情況下,實現更加出色的能源效率。

核心技術優勢:具有高功率密度、高效率;

以相移全橋(PSFB)實現雙向能量轉換器;

具有20μs 140%加負荷;

以CFD7系列MOS實現高效率可能性;

具有多種保護模式和可配置參數,提高產品設計靈活度。

方案規格:輸入電壓及頻率操作為:DC 380V;

輸出電壓為:60V-40V;

降壓模式效率高達98%,升壓模式效率高達97%;

功率密度為4.34W/cm³(71.19W/in³);

采用ThinPAK封裝的Infineon CoolMOS™CFD7。


DSPIC33EP512MU810-I/PT


在電機驅動部分,方案采用集成預驅與6顆IGBT管的IPM來做電機的電子換相控制。核心芯片采用的是onsemi旗下的NFVA35065L32-D。

一顆帶有功能安全的電源管理芯片FS2600,該芯片具有多個BUCK、BOOST輸出以及LDO穩壓器,可為MCU、SENSOR、外設IC和通信接口供電。

FS2600B具有豐富的監控診斷功能。在系統運行時,FS2600與FC4150通過SPI通信,能夠提供潛在的故障監測,極大增強了系統的安全特性。



數字芯片,還可以進一步細分,分為:邏輯芯片、存儲芯片以及微控制單元(MCU)。

邏輯芯片,其實說白了就是計算芯片。它包含了各種邏輯門電路,可以實現運算與邏輯判斷功能,是最常見的芯片之一。

大家經常聽說的CPU、GPU、FPGA、ASIC,全部都屬于邏輯芯片。而現在特別火爆的AI,用到的所謂“AI芯片”,也主要是指它們。

在這個架構中,包括了運算器(也叫邏輯運算單元,ALU)、控制器(CU)、存儲器、輸入設備、輸出設備等組成部分。


SMD封裝技術以及創新的堆疊磁性結構,本方案可實現4.34 W/cm³(71.19 W/in³)的功率密度,再一次證明了PSFB拓撲可以用作雙向DC/DC階段。并且在不改變傳統拓撲標準或構造的情況下,實現更加出色的能源效率。

核心技術優勢:具有高功率密度、高效率;

以相移全橋(PSFB)實現雙向能量轉換器;

具有20μs 140%加負荷;

以CFD7系列MOS實現高效率可能性;

具有多種保護模式和可配置參數,提高產品設計靈活度。

方案規格:輸入電壓及頻率操作為:DC 380V;

輸出電壓為:60V-40V;

降壓模式效率高達98%,升壓模式效率高達97%;

功率密度為4.34W/cm³(71.19W/in³);

采用ThinPAK封裝的Infineon CoolMOS™CFD7。


DSPIC33EP512MU810-I/PT

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