MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設計者需要知道這些參數。

例如，設計一個高效的開關電源將要求設計者知道設備的電容，因為這將影響開關速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。

一個功率MOSFET的組件級電容,一個功率MOSFET的組件級和電路級電容之間的關系。對BJT和IGBT器件也可以進行類似的電容測量。

一是用示波觀察輸出波形是否正常；

二是用萬用表的直流電壓擋測量振蕩三極管的Var電壓，如果Vee出現反偏電壓或小于正常放大時的數值，再用電容并正反饋信號交流短路到地端,若VBE電壓回升,則可驗證電路已經起振。

如果振蕩器不能正常振蕩，首先應用萬用表測量放大器的靜態工作點，若靜態工作點異常,應重點檢查放大電路的元器件有無損壞連接線是否開路.

升降壓型充電管理芯片+快充協議芯片來實現，應用設計及外圍比較復雜。

一顆內置PD3.0/QC3.0快充協議升降壓型35W兩節鋰電充放電SOC芯片-M12229,輸入電壓3.3V-20V，最大充電電流5A，最大輸入/輸出功率35W，適用于雙節串聯大容量鋰電池的快速充電場合。

M12229 支持2串電芯(鋰電池及磷酸鐵鋰電池)，電芯規格支持 4.2V/4.25V/4.3V/4.4V/4.45V；芯片支持充電電流自適應，最大充電電流5A，集成電池充放電管理模塊，內置電池均衡控制，最大均衡電流 100mA，方便電池配對。