MOS管是一種由金屬氧化物半導體構成的三極管，它的工作原理是通過控制門電壓來控制通過源極和漏極的電流。

MOS管可以根據其結構特點分為兩大類：一類是普通MOS管，它的結構由源極、漏極、門極和金屬氧化物層組成；另一類是雙極MOS管，它的結構由源極、漏極、門極和兩層金屬氧化物層組成。

斷線或零線錯接成相線等使電路電壓升高時，取樣電路次級電壓也隨之升高，光電耦合器滿足工作條件，光耦輸出電流增大，使VT管偏置電壓升高并飽和導通，執行機構繼電器動作吸合，切斷電源進而達到保護電器的目的。

復位脈沖發出后，主機重新將DQ置為高電平(即釋放總線)并等待15~60μs，之后檢測從機是否發出了“存在脈沖”。若檢測到“存在脈沖”則開始通信，否則不通信。

主機發出復位脈沖并釋放總線時，總線上產生上升沿。從機(此處指DS18B20)檢測到該上升沿后，等待15~60μs再將總線DQ引腳置為低電平，并保持60~240μs。如圖6-21所示，這個持續60~240μs的低電平即是從機發出的“存在脈沖”。

TTL與CMOS轉換法是在不同的電平之間轉換的一種方法。TTL和CMOS屬于不同的信號電平標準，TTL的高電平標準為2.4V，而CMOS的高電平標準為5V。通過電平轉換器將TTL的信號轉換為CMOS的信號，可以方便地進行信號的傳輸。