在低壓應用中適度100mV壓降和相關耗散超出可接受的范圍

發布時間:2024/7/12 21:16:46 訪問次數:59

兩芯片AHV85000和 AHV85040隔離柵極驅動器IC解決方案可與外部變壓器協同工作，能夠為太陽能逆變器、xEV充電基礎設施和儲能系統(ESS)等清潔能源以及數據中心電源等應用提供更大設計自由度和更高功率效率。

新的組合芯片隔離柵極驅動器能夠為具有不同隔離要求的應用提供更多優勢。

通過進一步優化系統成本和空間，這一行業領先的解決方案可提供更大的設計靈活性，包括可選擇不同隔離級別、最適合于具體應用的變壓器，及在系統中布置隔離屏障的位置靈活度。

IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。

IX4352NE的主要優勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低。

內部負電荷調節器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置,以實現更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。

整流二極管的正、反向阻值相差越大越好，若測得正、反向阻值相近，則說明該整流二極管已經失效損壞。

由于輸入電壓偏移和偏置電流以及它們隨后的溫度相關漂移，檢測放大器電路(幾乎總是為此類應用設計的運算放大器)中的缺陷也會影響較低的電壓降 - 所有這些這可能會破壞超出允許公差的感測值。

一般來說，最好使用較小值的電阻器，其相關電壓降和功率損耗較低，總體上更好，但只能達到一定程度。一個起點指導原則是在最大電流下為大約100mV壓降確定電阻器的大小。

對于許多應用，快速V=IR計算將電流檢測電阻值置于1到10毫歐之間。然而，在低壓應用中，即使是適度的100mV壓降和相關的耗散，也可能超出可接受的范圍。

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