封裝器件并識別電路和批次準確了解每個芯片在晶圓上制造位置
發布時間:2024/8/28 19:08:11 訪問次數:59
在SIP系統中集成具有LVDS接口的多通道高速模數轉換器時,面臨不同LVDS輸出通道延時不同所導致的數據采集錯誤的問題,為此設計了一個多通道自適應LVDS接收器。
高能效GaN功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD再一次通過領先行業的創新舉措展示的創新決心:在GaN IC上融入單獨的二維條形碼,并可通過標準商用讀碼器讀取。
這不僅使CGD能夠掃描封裝器件并識別電路和批次,還能準確了解每個芯片在晶圓上的制造位置。這對于提供有關工藝穩健性和可靠性的重要數據具有重要意義。
先進CMOS工藝進行了接收器的設計、仿真、后端設計實現和流片測試,仿真和流片后的板級測試結果均表明該接收器能夠對通道延遲進行自動調節以對齊采樣相位,且最大的采樣相位調節范圍為±3bit,信噪比大于65dB,滿足了設計要求和應用需求。
通過采用數據時鐘恢復技術產生一個多相位的采樣時鐘,并結合ADC的測試模式來確認每一個通道的采樣相位,能夠自動對每一個通道的延時分別進行調整,以達到對齊各通道采樣相位點,保證數據正確采集的目的。
個人計算機和筆記本電腦都在使用傳統LPDDR DRAM或DDR的So-DIMM(小型雙重內嵌式內存模組)。
相比之下,雖然So-DIMM可以更方便地被安裝或拆卸,但在性能、功耗和其他物理特性方面還存在諸多限制。
LPCAMM作為一種可拆卸模組,在制造過程中為個人計算機和筆記本電腦制造商提供了更大的靈活性。此外,與So-DIMM相比,LPCAMM在主板上所占的最多可減少60%。這不僅能更有效地利用設備的內部空間,還將性能和能效分別提高了50%和70%。
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在SIP系統中集成具有LVDS接口的多通道高速模數轉換器時,面臨不同LVDS輸出通道延時不同所導致的數據采集錯誤的問題,為此設計了一個多通道自適應LVDS接收器。
高能效GaN功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD再一次通過領先行業的創新舉措展示的創新決心:在GaN IC上融入單獨的二維條形碼,并可通過標準商用讀碼器讀取。
這不僅使CGD能夠掃描封裝器件并識別電路和批次,還能準確了解每個芯片在晶圓上的制造位置。這對于提供有關工藝穩健性和可靠性的重要數據具有重要意義。
先進CMOS工藝進行了接收器的設計、仿真、后端設計實現和流片測試,仿真和流片后的板級測試結果均表明該接收器能夠對通道延遲進行自動調節以對齊采樣相位,且最大的采樣相位調節范圍為±3bit,信噪比大于65dB,滿足了設計要求和應用需求。
通過采用數據時鐘恢復技術產生一個多相位的采樣時鐘,并結合ADC的測試模式來確認每一個通道的采樣相位,能夠自動對每一個通道的延時分別進行調整,以達到對齊各通道采樣相位點,保證數據正確采集的目的。
個人計算機和筆記本電腦都在使用傳統LPDDR DRAM或DDR的So-DIMM(小型雙重內嵌式內存模組)。
相比之下,雖然So-DIMM可以更方便地被安裝或拆卸,但在性能、功耗和其他物理特性方面還存在諸多限制。
LPCAMM作為一種可拆卸模組,在制造過程中為個人計算機和筆記本電腦制造商提供了更大的靈活性。此外,與So-DIMM相比,LPCAMM在主板上所占的最多可減少60%。這不僅能更有效地利用設備的內部空間,還將性能和能效分別提高了50%和70%。
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