使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產品,DC 1500V將得到廣泛應用.MG250YD2YMS3具有低導通損耗和0.7V（典型值）的低漏極-源極導通電壓（傳感器）。

此外，它還具有較低的開通和關斷損耗，分別為14mJ（典型值）和11mJ（典型值），與典型的硅（Si）IGBT相比降低了約90%。這些特性均有助于提高設備效率。

由于MG250YD2YMS3可實現較低的開關損耗，用戶可采用模塊數量更少的兩電平電路取代傳統的三電平電路，有助于設備的小型化。

新產品是碳化硅MOSFET產品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產品，其封裝支持柵極驅動信號源極端使用開爾文連接，有助于減少封裝內源極線電感的影響，從而提高高速開關性能。

目前采用3引腳TO-247封裝的產品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的開通損耗降低了約40%，關斷損耗降低了約34%。這一改善有助于降低設備功率損耗。

ADE9153A IC用三個高性能模數轉換器(ADC)制作而成,具有88dB信噪比(SNR)和一系列高級計量功能。

這些測量包括線路電壓和電流、有功電能、基本無功電能、視在電能計算以及電流和電壓有效值計算。ADE9153A可進行各種電源品質測量，如過零檢測、行頻周期計算、角度測量、電壓驟降與驟升、峰值和過電流檢測以及功率因數測量。

ADE9153A的每個輸入通道均支持靈活且獨立的增益級。電流通道A適用于分流器，具有靈活的增益級，并提供從62.5mV峰值到26.04mV峰值的全量程輸入范圍。

西旗科技（銷售二部）https://xiqikeji.51dzw.com