高頻整流器為最新快速開關IGBT和Si/SiC MOSFET提供去飽和保護
發布時間:2024/9/20 18:02:43 訪問次數:61
整流器快速恢復時間為75ns,典型Qrr低至150nC。器件典型正向壓降1.10V,比市場上接近的競品低10%,寄生電容降低50%,且不影響器件可靠性。
此外,與上一代解決方案相比,整流器反向恢復能量(Erec)提高10%,軟恢復有助于降低EMI。
VS-E7MH0112-M3和VS-E7MH0112HM3采用平面結構,通過鉑摻雜壽命控制,在不影響性能的情況下確保系統可靠性和穩定性,同時經過優化的存儲電荷和低恢復電流最大限度減小開關損耗并降低功耗。器件符合RoHS標準,無鹵素,潮濕敏感度達到J-STD-020標準1級,可在+175°C高溫下工作。
器件可用作反激輔助電源的鉗位、緩沖和續流二極管,也可用作自舉驅動功能的高頻整流器,同時可為最新快速開關IGBT和Si/SiC MOSFET提供去飽和保護。
VS-E7MH0112-M3和汽車級VS-E7MH0112HM3典型應用包括工業和通信設備、電動汽車(EV)車載充電器和電機、以及Ćuk轉換器和工業LED PFC CrM SEPIC電路。
172 RLX系列電容器采用徑向引線,藍色套筒絕緣的圓柱形鋁外殼,帶有減壓裝置,額定電壓高達50 V,容量為150µF至15000µF,+20°C條件下阻抗低至0.011W。電容器具有防充放電功能。
近紅外靈敏度是保障DMS/OMS系統影像感度及清晰度的一個關鍵參數。
LightBox IR™技術能有效提升圖像傳感器近紅外感度,通過引入改進的深溝槽隔離(DTI),實現了更佳的像素隔離及夜視性能,并可進一步減少不同像素帶來的直接串擾(Crosstalk),可在微光車內環境下獲取清晰的駕駛員及艙內圖像,保證人工智能訓練和算法識別的準確性。
SC233AT基于SmartGS®-2全局快門技術,并依托思特威獨特的SFCPixel®專利技術,能夠實現高識別精度和無延時成像,感光度高達9650mV/lux*s,可實時捕捉臉部和眼睛狀態,從而大幅提升DMS/OMS系統的監測效果。
深圳市恒凱威科技開發有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
整流器快速恢復時間為75ns,典型Qrr低至150nC。器件典型正向壓降1.10V,比市場上接近的競品低10%,寄生電容降低50%,且不影響器件可靠性。
此外,與上一代解決方案相比,整流器反向恢復能量(Erec)提高10%,軟恢復有助于降低EMI。
VS-E7MH0112-M3和VS-E7MH0112HM3采用平面結構,通過鉑摻雜壽命控制,在不影響性能的情況下確保系統可靠性和穩定性,同時經過優化的存儲電荷和低恢復電流最大限度減小開關損耗并降低功耗。器件符合RoHS標準,無鹵素,潮濕敏感度達到J-STD-020標準1級,可在+175°C高溫下工作。
器件可用作反激輔助電源的鉗位、緩沖和續流二極管,也可用作自舉驅動功能的高頻整流器,同時可為最新快速開關IGBT和Si/SiC MOSFET提供去飽和保護。
VS-E7MH0112-M3和汽車級VS-E7MH0112HM3典型應用包括工業和通信設備、電動汽車(EV)車載充電器和電機、以及Ćuk轉換器和工業LED PFC CrM SEPIC電路。
172 RLX系列電容器采用徑向引線,藍色套筒絕緣的圓柱形鋁外殼,帶有減壓裝置,額定電壓高達50 V,容量為150µF至15000µF,+20°C條件下阻抗低至0.011W。電容器具有防充放電功能。
近紅外靈敏度是保障DMS/OMS系統影像感度及清晰度的一個關鍵參數。
LightBox IR™技術能有效提升圖像傳感器近紅外感度,通過引入改進的深溝槽隔離(DTI),實現了更佳的像素隔離及夜視性能,并可進一步減少不同像素帶來的直接串擾(Crosstalk),可在微光車內環境下獲取清晰的駕駛員及艙內圖像,保證人工智能訓練和算法識別的準確性。
SC233AT基于SmartGS®-2全局快門技術,并依托思特威獨特的SFCPixel®專利技術,能夠實現高識別精度和無延時成像,感光度高達9650mV/lux*s,可實時捕捉臉部和眼睛狀態,從而大幅提升DMS/OMS系統的監測效果。
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