SOI技術不存在寄生二極管結構，具有出色的穩健性， 以及業界一流的對VS引腳上抗負瞬態電壓尖峰的能力。這些雙通道柵極驅動器集成了自舉二極管，可為外部高壓側自舉電容供電，從而進一步降低系統級BOM成本。

這些半導體器件采用緊湊型3x3mm² VSON10封裝，并且提供半橋（HB）和高邊 + 低邊（HS+LS）兩種配置以及兩種不同的拉/灌電流，可以在各種應用中驅動n溝道MOSFET。

此外,相關的JEDEC78/20/22測試表明，MOTIX 160 V解決方案完全滿足工業應用要求。

該系列產品采用了適合各種應用的通用性設計，并提供可供選擇的開關頻率和軟啟動功能。

由于具備可編程的電流限制，這些穩壓器可以實現精準的控制，而且支持固定頻率連續導通模式（FCCM）和不連續導通模式（DCM）。此外，TDA388xx系列穩壓器還可通過外部基準輸入實現電壓追蹤。這一靈活性對于滿足不同的功率系統要求至關重要。

XHP系列包括一款帶有一個發射極控制續流二極管的TRENCHSTOP IGBT4450 A半橋IGBT模塊，以及一款帶有發射極控制E4二極管的450 A二極管半橋模塊。

FF450R45T3E4_B5雙開關與DD450S45T3E4_B5雙二極管的組合可顯著節省成本并縮小占板面積。

例如，過去的IGBT解決方案需要四個140x190mm²或140x130mm²開關以及一個140x130mm²雙二極管。而全新的XHP系列產品能夠將所需的元器件數量減少到兩個140x100mm²雙開關和一個更小的140x100mm²雙二極管。

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