Fairchild的30V同步降壓芯片組
發布時間:2007/4/23 0:00:00 訪問次數:1500
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出同步降壓轉換器芯片組，其設計特別利用最新的 IMVP (英特爾移動電壓定位) 技術規范，在筆記本電腦中優化效率和空間。通過飛兆半導體的PowerTrench® MOSFET技術，高端“控制”MOSFET (FDS6298) 和低端“同步”MOSFET (FDS6299S) 會構成一個芯片組，為同步降壓轉換器應用提供更大的電流密度和更高的效率。此外，FDS6299S器件的單片電路SyncFET™ 技術毋須使用外部肖特基二極管，因此能節省電路板空間和裝配成本。
這種集成芯片組的米勒電荷 (Miller) Qgd極低，并具有快速的開關速度和小于1的Qgd / Qgs比，以限制交叉導通 (Cross-conduction) 損耗的可能性。除了Vcore設計之外，快速開關FDS6298和低導通阻抗RDS(on) FDS6299S提供了配對使用的好處，非常適合于高端通信設備等應用中的大電流負載點 (POL) 轉換器。
FDS6298 (高端) MOSFET的主要性能特性包括：
§ 低總Qg (9nC @ VGS=4.5V) 和Qgd (3nC @ VGS=4.5V)，具有快速開關速度，能提高效率；
§ 優化的芯片和引線框架設計，能降低封裝阻抗和電感、減小傳導損耗及源極端電感開關損耗；
§ 規范的Rg和100% 的Rg測試實現優良的漏源開關特性。
FDS6299S (低端) MOSFET的主要性能特性包括：
§ 低導通阻抗RDS(on) (3.9mOhm (max) @ VGS = 10V) 以減小DC損耗；
§ 低體二極管損耗 (低 QRR 和低前向電壓降) 以提高效率；
§ 軟恢復特性減少噪聲，低Crss減小交叉傳導的可能性；及
§ 低總Qg (31nC @ VGS=5V) 降低柵級驅動要求。
這些產品均采用無鉛SO-8封裝，能達到甚至超越IPC/JEDEC的 J-STD-020B標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。
FDS6298/FDS6299S同步降壓轉換器芯片組是飛兆半導體采用創新技術解決計算應用特定問題的又一示例。飛兆半導體提供多種相輔相成的產品以滿足今天的設計挑戰，包括功率放大器、多相DC/DC控制器，以及LDO等多負載點 (POL) 產品。
價格 (訂購1000個)： FDS6298每個0.62美元
FDS6299S每個1.18美元
供貨： 現貨
交貨期： 收到訂單后12周內
這種集成芯片組的米勒電荷 (Miller) Qgd極低，并具有快速的開關速度和小于1的Qgd / Qgs比，以限制交叉導通 (Cross-conduction) 損耗的可能性。除了Vcore設計之外，快速開關FDS6298和低導通阻抗RDS(on) FDS6299S提供了配對使用的好處，非常適合于高端通信設備等應用中的大電流負載點 (POL) 轉換器。
FDS6298 (高端) MOSFET的主要性能特性包括：
§ 低總Qg (9nC @ VGS=4.5V) 和Qgd (3nC @ VGS=4.5V)，具有快速開關速度，能提高效率；
§ 優化的芯片和引線框架設計，能降低封裝阻抗和電感、減小傳導損耗及源極端電感開關損耗；
§ 規范的Rg和100% 的Rg測試實現優良的漏源開關特性。
FDS6299S (低端) MOSFET的主要性能特性包括：
§ 低導通阻抗RDS(on) (3.9mOhm (max) @ VGS = 10V) 以減小DC損耗；
§ 低體二極管損耗 (低 QRR 和低前向電壓降) 以提高效率；
§ 軟恢復特性減少噪聲，低Crss減小交叉傳導的可能性；及
§ 低總Qg (31nC @ VGS=5V) 降低柵級驅動要求。
這些產品均采用無鉛SO-8封裝，能達到甚至超越IPC/JEDEC的 J-STD-020B標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。
FDS6298/FDS6299S同步降壓轉換器芯片組是飛兆半導體采用創新技術解決計算應用特定問題的又一示例。飛兆半導體提供多種相輔相成的產品以滿足今天的設計挑戰，包括功率放大器、多相DC/DC控制器，以及LDO等多負載點 (POL) 產品。
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飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出同步降壓轉換器芯片組，其設計特別利用最新的 IMVP (英特爾移動電壓定位) 技術規范，在筆記本電腦中優化效率和空間。通過飛兆半導體的PowerTrench® MOSFET技術，高端“控制”MOSFET (FDS6298) 和低端“同步”MOSFET (FDS6299S) 會構成一個芯片組，為同步降壓轉換器應用提供更大的電流密度和更高的效率。此外，FDS6299S器件的單片電路SyncFET™ 技術毋須使用外部肖特基二極管，因此能節省電路板空間和裝配成本。
這種集成芯片組的米勒電荷 (Miller) Qgd極低，并具有快速的開關速度和小于1的Qgd / Qgs比，以限制交叉導通 (Cross-conduction) 損耗的可能性。除了Vcore設計之外，快速開關FDS6298和低導通阻抗RDS(on) FDS6299S提供了配對使用的好處，非常適合于高端通信設備等應用中的大電流負載點 (POL) 轉換器。
FDS6298 (高端) MOSFET的主要性能特性包括：
§ 低總Qg (9nC @ VGS=4.5V) 和Qgd (3nC @ VGS=4.5V)，具有快速開關速度，能提高效率；
§ 優化的芯片和引線框架設計，能降低封裝阻抗和電感、減小傳導損耗及源極端電感開關損耗；
§ 規范的Rg和100% 的Rg測試實現優良的漏源開關特性。
FDS6299S (低端) MOSFET的主要性能特性包括：
§ 低導通阻抗RDS(on) (3.9mOhm (max) @ VGS = 10V) 以減小DC損耗；
§ 低體二極管損耗 (低 QRR 和低前向電壓降) 以提高效率；
§ 軟恢復特性減少噪聲，低Crss減小交叉傳導的可能性；及
§ 低總Qg (31nC @ VGS=5V) 降低柵級驅動要求。
這些產品均采用無鉛SO-8封裝，能達到甚至超越IPC/JEDEC的 J-STD-020B標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。
FDS6298/FDS6299S同步降壓轉換器芯片組是飛兆半導體采用創新技術解決計算應用特定問題的又一示例。飛兆半導體提供多種相輔相成的產品以滿足今天的設計挑戰，包括功率放大器、多相DC/DC控制器，以及LDO等多負載點 (POL) 產品。
價格 (訂購1000個)： FDS6298每個0.62美元
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這些產品均采用無鉛SO-8封裝，能達到甚至超越IPC/JEDEC的 J-STD-020B標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。
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