ST推出1MHz雙線串行總線EEPROM存儲器芯片
發布時間:2008/8/14 0:00:00 訪問次數:390
意法半導體(st)推出1mhz雙線串行總線eeprom存儲器芯片,存儲密度分別為256-kbit、512-kbit和1-mbit,兼容i2c fast-mode-puls模式,數據速率可達i2c fast-mode 的2.5倍。工作頻率為1mhz,m24m01-hr完成1-mbit的數據處理只需1秒鐘;256-kbit的m24256-bhr只需四分之一秒;512-kbit的m24512-hr完成數據處理只需半秒鐘。
這些新的雙線串行總線eeprom支持多種訪存模式,包括按字節寫入模式以及按64字節、128字節 和 256字節頁的寫入模式、隨機寫入模式、順序寫入模式、自動遞增尋址。除簡化芯片在目標應用中的設計外,這些尋址模式還有助于工程師改進系統性能和功耗問題。新產品提供一個寫控制輸入引腳,同時,三支引腳讓一條總線上可連接多達8個設備。為方便在低壓或標準電壓系統中采用,三款新產品都有不同版本,工作電壓從 1.8v到5.5v或2.5v到5.5v。
st先進的制造工藝讓新產性能非凡,兼有1mhz的讀寫速度、競爭力的價格和三款微型表面貼裝,tssop8和3.8mm寬(150 mils)的so-8封裝,厚度分別為1.2mm 和1.75mm,可用于纖薄的消費電子產品中(如數字電視)。所有封裝均使用st的ecopack環保技術,這項技術符合全球的綠色封裝標準,包括歐盟的有害物質限用(rohs)法規。
新產品還具有很好的耐用性,標稱擦寫循環100萬次,數據保存期限40年以上。
so-8封裝的256-kbit、512-kbit和1-mbit樣片、tssop封裝的256-kbit和512-kbit樣片現已上市。
意法半導體(st)推出1mhz雙線串行總線eeprom存儲器芯片,存儲密度分別為256-kbit、512-kbit和1-mbit,兼容i2c fast-mode-puls模式,數據速率可達i2c fast-mode 的2.5倍。工作頻率為1mhz,m24m01-hr完成1-mbit的數據處理只需1秒鐘;256-kbit的m24256-bhr只需四分之一秒;512-kbit的m24512-hr完成數據處理只需半秒鐘。
這些新的雙線串行總線eeprom支持多種訪存模式,包括按字節寫入模式以及按64字節、128字節 和 256字節頁的寫入模式、隨機寫入模式、順序寫入模式、自動遞增尋址。除簡化芯片在目標應用中的設計外,這些尋址模式還有助于工程師改進系統性能和功耗問題。新產品提供一個寫控制輸入引腳,同時,三支引腳讓一條總線上可連接多達8個設備。為方便在低壓或標準電壓系統中采用,三款新產品都有不同版本,工作電壓從 1.8v到5.5v或2.5v到5.5v。
st先進的制造工藝讓新產性能非凡,兼有1mhz的讀寫速度、競爭力的價格和三款微型表面貼裝,tssop8和3.8mm寬(150 mils)的so-8封裝,厚度分別為1.2mm 和1.75mm,可用于纖薄的消費電子產品中(如數字電視)。所有封裝均使用st的ecopack環保技術,這項技術符合全球的綠色封裝標準,包括歐盟的有害物質限用(rohs)法規。
新產品還具有很好的耐用性,標稱擦寫循環100萬次,數據保存期限40年以上。
so-8封裝的256-kbit、512-kbit和1-mbit樣片、tssop封裝的256-kbit和512-kbit樣片現已上市。