微波晶體管器件的發展也經歷了微波真空管發展過程中所遇到的相同問題。正如電子渡越時間限制了真空管的工作頻率一樣，它也限制了半導體器件的工作頻率。通過半導體區域所需要的渡越時間不僅僅由該區域的厚度決定，還要受到電子飽和速度的影響。電子飽和速度約107cm／s，這是在一種給定的材料中電子速度所能達到的最大值。另外，少數載流子處于一種“存儲”狀態，不能很容易地移動，這就導致了延遲，從而限制了器仵的轉換時間。同樣，像真空管一樣，電極間的電容也限制了晶體管器件的工作頻率。盡管采用了可變電容二極管，pn結二極管p區和n區之間的電容也嚴重，限制了工作頻率和轉換時間。

　　第二次世界大戰期間開發了一些微波二極管（如1n21和ln23）器件。采用點接觸的構造方法（圖）部分地解決了電容的問題.點接觸二極管使用一個“金屬細線式”電極來連接導電電極和半導體。

　　圖 pn結二極管

　　點接觸構造可以追溯到無線電發展的最早期。那時接收機內常用的檢波器使用方鉛礦晶體檢波器（一種鉛的化合物）。這些早期的“礦石收音機”使用金屬細線電極來探測晶體表面無線電信號的整流點。

　　第二次世界大戰中，點接觸二極管主要用于混頻器來產生中頻信號，這個中頻信號是雷達信號和本征信號的差頻信號。和低頻接收機一樣，這些早期的超外差雷達接收機在混頻器前并不使用射頻放大器。盡管點接觸二極管的工作頻率已經達到了200ghz，但這種器件很容易損壞，而且功率很低。

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