功率MOSFET應用于開關電源注意的問題
發布時間:2009/2/25 0:00:00 訪問次數:393
功率mosfet應用于開關電源時應注意以下幾個問題。
(1)柵極電路的阻抗非常高,易翼靜電損壞。
(2)直流輸入阻抗高,但輸入容量大,高頻時輸入阻抗低,因此,需要降低驅動電路阻抗。
(3)并聯工作時容易產生高頻振蕩。
(4)導通時電流沖擊大,易產生過電流。
(5)很多情況下,不能原封不動地用于雙極型晶體管的自激振蕩電路。
(6)寄生二極管的反向恢復時間長,很多情況下與場效應晶體管開關速度不平衡。
(7)開關速度快而產生噪聲,容易使驅動電路誤動作,特別是開關方式為橋接電路、柵極電路的電源為浮置時,易發生這種故障。
(8)漏極-柵極間電容極大,漏極電壓變化容易影響輸入。
(9)加有負反饋,熱穩定性也比雙極型晶體管好,但用于電流值較小情況下不能獲得這種效果。
(10)理論上沒有電流集中而產生二次擊穿,但寄生晶體管因du/dt受到損壞,從而場效應晶體管也受到損壞。
功率mosfet應用于開關電源時應注意以下幾個問題。
(1)柵極電路的阻抗非常高,易翼靜電損壞。
(2)直流輸入阻抗高,但輸入容量大,高頻時輸入阻抗低,因此,需要降低驅動電路阻抗。
(3)并聯工作時容易產生高頻振蕩。
(4)導通時電流沖擊大,易產生過電流。
(5)很多情況下,不能原封不動地用于雙極型晶體管的自激振蕩電路。
(6)寄生二極管的反向恢復時間長,很多情況下與場效應晶體管開關速度不平衡。
(7)開關速度快而產生噪聲,容易使驅動電路誤動作,特別是開關方式為橋接電路、柵極電路的電源為浮置時,易發生這種故障。
(8)漏極-柵極間電容極大,漏極電壓變化容易影響輸入。
(9)加有負反饋,熱穩定性也比雙極型晶體管好,但用于電流值較小情況下不能獲得這種效果。
(10)理論上沒有電流集中而產生二次擊穿,但寄生晶體管因du/dt受到損壞,從而場效應晶體管也受到損壞。
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