功率mos場效應晶體管全稱為金屬－氧化物－半導體場效應晶體管（powermetal oxide semiconductor field effect transistor），簡稱功率mosfet，它是一種電壓控制器件。根據載流子的性質，mosfet可分為n溝道和p溝道兩種類型，圖形符號如圖所示。根據導電結構，mosfet有垂直導電結構與橫向導電結構，而功率mosfet幾乎都是由垂直導電結構組成的，這種晶體管稱為vmosfet。

　　(a)n溝道類型：(b)p溝道類型

　　圖 功率mosfet的圖形符號

　　vmosfet的主要特點：

　　（1）開關速度非常快。vmosfet為多數載流子器件，不存在存貯效應，故開關速度快，其一般低壓器件開關時間為10ns數量級，高壓器件為100ns數量級，適擴合于做高頻功率開關。

　　（2）高輸入阻抗和低電平驅動。vm0s器件輸入阻抗通常10（7）ω以上，直流驅動電流為0.1μa數量級，故只要邏輯幅值超過vm0s的閾值電壓（3.5～4v），則可由cm0s和lsttl及標準ttl等器件直接驅動，驅動電路簡單。

　　（3）安全工作區寬。vm0s器件無二次擊穿，安全工作區由器件的峰值電流、擊穿電壓的額定值和功率容量來決定，故工作安全，可靠性高。

　　（4）熱穩定性高。vmos器件的最小導通電壓由導通電阻決定，其低壓器件的導通電阻很小，但且隨著漏極－源極間電壓的增大而增加，即漏極電流有負的溫度系數，使管耗隨溫度的變化得到一定的自補償。

　　（5）易于并聯使用。vm0s器件可簡單并聯，以增加其電流容量，而雙極型器件并聯使用需增設均流電阻、內部網絡匹配及其他額外的保護裝置。

　　（6）跨導高度線性。vm0s器件是一種短溝道器件，當ugs上升到一定值后，跨導基本為一恒定值，這就使其作為線性器件使用時，非線性失真大為減小。

　　（7）管內存在漏源二極管。vm0s器件內部漏極－源極之間寄生一個反向的漏源二極管，其正向開關時間小于10ns，和快速恢復二極管類似也有一個100ns數量級的反向恢復時間。該二極管在實際電路中可起鉗位和消振作用。

　　（8）注意防靜電破壞。盡管vm0s器件有很大的輸入電容，不像一般mos器件那樣對靜電放電很敏感，但由于它的柵極－源極間最大額定電壓約為±20v，遠低于100～2500v的靜電電壓，因此，要注意采取防靜電措施，即運輸時器件應放于抗靜電包裝或導電的泡沫塑料中；拿取器件時要戴接地手鐲，最好在防靜電工作臺上操作；焊接要用接地電烙鐵；在柵極－源極間應接一只電阻使其保持低阻抗，必要時并聯穩壓值為20v的穩壓二極管加以保護。功率mosfet與功率晶體管不同之處如下表所示。

　　高頻工作的mosfet已成為開關電源中的關鍵器件，目前mosfet正以20％的年增長率高速增長。現在，市場上銷售的開關電源產品里，采用雙極型晶體管的開關電源的開關頻率僅為30～3000khz，采用功率mosfet的開關頻率可達到500khz左右。

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