3STR1630是一款采用最新低壓平面工藝制造的NPN型晶體管。意法半導體在平面技術工藝中加入一種雙金屬層制程，可將單元密度提高近一倍，而無需使用復雜的蝕刻設備。

除了將同一芯片上的輸出電流提高50%，雙金屬層制程還可為晶體管實現高達100V的Vceo額定電壓，高達300kHz的工作開關頻率及有效降低40%的Vce(sat)電壓。

作為新系列產品的首款產品，3STR1630擁有最低30V的BV_CEO電壓，提供在28V截止電壓與最小Vce(sat)電壓之間的最佳平衡，在hFE值等于50時，等效通態電阻僅為100mΩ。此外，新產品盡管采用緊湊型SOT-23封裝，但連續輸出電流仍高達6A。

3STR1630現已量產。

意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼STM），推出全新高性能雙極功率晶體管系列的首款產品。新產品集多種卓越性能于一身，包括高輸出電流、高集電極-發射極截止電壓及超低集電極-發射極飽和電壓，是LED驅動、電機驅動器和繼電器驅動電路和直流-直流轉換器的最佳選擇。