——在網絡解決方案中發揮著重要作用

    當您開發創新產品來滿足客戶的無線連接需求時，請選用飛思卡爾的RF解決方案，依靠我們實現創新。

　　飛思卡爾開創先河

　　飛思卡爾的RF解決方案是RF技術的領先者。實際上，它占有50％以上的RF功率半導體市場，超過10億瓦的功率由飛思卡爾提供，并且所有主要電信公司都是它的客戶一一您可以完全信任飛思卡爾。我們提供性能超群的產品、可靠的工具、隨時提供幫助的全球支持團隊，面面俱到。飛思卡爾的RF解決方案提供創新的封裝方法，可測量的性能和安全、冗余的全球生產特點，它是您當前和未來所需的唯一的RF解決方案。

　　為何選擇飛思卡爾?
　　●技術創新

　　引領Power RFLDMOS發展路線圖

　　2-Tone PEP(W)，IMD3@-30dBc

    飛思卡爾的功率RF LDMOS的發展宏圖

　　1994年，摩托羅拉半導體(現為飛思卡爾半導體)率先推出LDMOS技術，在功率RF領域處于領先地位。

　　例如,飛思卡爾新型的LDMOS平臺在標準的LDMOS設備上結合高性能的CMOS和集成無源元件，實現RF功率放大器設計。

　　作為RFLDMOS的先驅，飛思卡爾取得眾多成績，包括：

-第一家在LDMOS技術上開發射頻功率晶體管的公司

-第一家在陶器和塑料包裝中實施行業標準的公司

-第一家在射頻設備上安裝靜電釋放保護的公司

-第一家提供支持幾百年“平均故障間隔時間”射頻產品的公司。

-第一家為經濟高效的塑料包裝提供2GHz離散射頻功率晶體管，能夠承受最高達200℃的操作接合溫度。

　　第6代RF LDMOS功率晶體管

　　為了拓展其在無線基礎架構RF技術的領導和創新地位，飛思卡爾半導體在其LDMOS產品線中增加了第6代RF(橫向擴散金屬氧化物半導體)功率晶體管，用于2.5G和3G無線基礎架構應用。本系列包括高性能、高功率陶瓷設備和經濟高效的2GHz塑料射頻晶體管，可以適應最高200℃的內核溫度。

　　飛思卡爾廣泛的RFLDMOS晶體管系列產品使無線基礎架構的設計者能經濟高效地開發出高性能的蜂窩基站放大器，支持GSM、EDGE、CDMA和W-CDMA技術。作為LDMOS技術的領導者，飛思卡爾設計出射頻功率晶體管，為無線基礎架構應用提供所需的高功率密度、卓越的射頻性能、高質量和高可靠性，以及設備連續性和高效率。

　　無線基礎架構設備生產商可以繼續靈活地從同一個可靠的大量半導體供應商處選擇高電壓的陶瓷或塑料射頻晶體管。飛思卡爾的第6代LDMOS陶瓷系列最初包括MRF6S19100H／S、MRF6S19140H／S、MRF6S21100H／S和MRF6S21140H／S設備。它的第6代LDMOS塑料產品系列具有可靠、強大、經濟的特點，是陶瓷產品的替換品。塑料產品系列最初包括MRF6S19060N／NB、MRF6S19100N／NB、MRF6S21060N／NB和MRF6S21100N／NB設備。

　　飛思卡爾為射頻設計者提供全面的模型庫和仿真工具，在計算機輔助設計環境中全面幫助識別射頻產品。該模型和仿真功能可以縮短設計和面市的時間。

　　●使用方便、周期短

　　如果您有一項任務要做，并且希望憑借某些元件更快地完成任務，飛思卡爾RF解決方案就能幫您實現：

-無與倫比的集成程度；

-高終端阻抗

-業內最全面的工具箱

-全球支持團隊

　　可測量的性能優勢和設備的統一性

　　飛思卡爾在無線基礎架構功率RF領域居于首位的原因在于：我們提供明顯高于競爭對手的性能，在大多數情況下，我們的產品性能高出15—30％。例如，飛思卡爾的RF可以隨時擴展到更高功率，提供高于競爭對手產品2倍的MTBF(平均故障間隔時間)，并且我們的增益和線性值通常比最新的其他資源高出3dB。

　　至于設備的統一性，飛思卡爾堅持嚴格的生產流程，實現更好的質量，并根據不同應用進行不同的測試，且設備具有靜電放電(ESD)保護。

　　安全的動態供應

　　需要時，如果您的部件是安全可用的，則說明技術和應用創新在起作用。我們的跟蹤記錄用事實證明：我們具有高達96％的準時交付能力。

　　在設計流程方面，我們為您準備有隨時可用的樣本。在生產方面，我們至少保持6個月的凍結存貨，以支持向上覆蓋，并有多個后端組裝站點。我們還提供有余的全球生產和存貨系統，具有最高水平的流程控制。

　　●性能出眾的產品

　　全新的LDMOS將高性能CMOS、集成無源設備與標準LDMOS集成在一起，以支持射頻功率放大器的設計。

　　創新封裝使其與眾不同

　　功率RF的領先者，飛思卡爾繼續進行封裝創并不斷創建新標準。

　　塑料封裝的優勢

-全自動設備—組裝