型號：FDM606P
類別：FET - 單
制造商：Fairchild Semiconductor
封裝：8-MLP，MicroFET?
描述：MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
系列：PowerTrench®
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.8A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 6.8A，4.5V
Id時的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 10V
功率_最大：1.92W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：8-MLP，MicroFET?
供應商設備封裝：8-MLP，MicroFET（3x2）
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述：Q-Class Power MOSFETs
大 小：64K
QQ：5645336 復制
