與Wi-Fi 5和Wi-Fi 4相比，無線覆蓋范圍增加了一倍； 覆蓋范圍比典型的Wi-Fi 6/6E解決方案高40%； 通過增強的干擾抑制提高連接可靠性.

更低的延遲和更好的Wi-Fi/BT共存，可改善復雜網絡環境中的多媒體流和游戲響應能力； 節電20%以上，從而延長了電池壽命； 具有安全啟動、固件身份驗證和加密以及生命周期管理的多層安全防護，為物聯網應用帶來更高級別的安全性。

這使它們成為游戲機、AR/VR、智能音箱、媒體流設備和汽車信息娛樂系統等高質量視頻和音頻流應用的理想選擇。要求實時響應的應用（如安防系統和工業自動化）也將從英飛凌的新產品中受益。

分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單個

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

包裝

管件

零件狀態

停產

FET 類型

N 通道

技術

MOSFET（金屬氧化物）

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)

12.5A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）

9 毫歐 @ 12.5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.5W（Ta）

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

供應商器件封裝

8-SO

封裝/外殼

8-SOIC（0.154""，3.90mm 寬）

漏源電壓（Vdss）

30V

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）

78nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）

2240pF @ 15V

Keysight SL1200A 系列為客戶提供了以下重要優勢：

大功率三相交流和直流電源與 EV/EVSE 充電和逆變器測試解決方案融于一體，可以對器件進行完整的測試。

直流輸出（選件 SDC）支持高達 1000 V DC 和 120 kW 的大功率直流充電測試；可以避免使用額外的設備，從而大幅降低成本。

100% 可再生（雙向）電源解決方案，效率> 85%，憑借高度集成的功能降低測試成本。

無需使用額外的設備即可實現 1200 V 兩線間（L-L）電壓且達到技術指標，從而能夠降低成本、提高性能、節省空間。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）