FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
118A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
22.1 毫歐 @ 47A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5.6V @ 23.5mA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
172 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+22V，-4V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2884 pF @ 500 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
427W
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247N
封裝/外殼
TO-247-3
基本產品編號
SCT3017
