型號：IPB009N03L G
類別：FET - 單
制造商：Infineon Technologies
封裝：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB
描述：MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：180A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：0.95 毫歐 @ 100A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：227nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：25000pF @ 15V
功率_最大：250W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB
供應商設備封裝：PG-TO263-7
包裝：剪切帶 (CT)
廠 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：OptiMOS3 Power Transistor
大 小：512K
