型號：IXTP01N100D
類別：FET - 單
制造商：IXYS
封裝：TO-220-3
描述：MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：耗盡模式
漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
電流_連續漏極333Id4440a025000C：100mA
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：110 歐姆 @ 50mA，0V
Id時的Vgs333th444111最大222：-
閘電荷333Qg4440a0Vgs：-
輸入電容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V
功率_最大：1.1W
安裝類型：通孔
封裝__外殼：TO-220-3
供應商設備封裝：TO-220
包裝：管件
廠 商：IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述：High Voltage MOSFET
大 小：554K
