新的愛普科斯(EPCOS)超緊湊型X2電容器設備之間的互聯互通
發布時間:2021/9/25 8:55:24 訪問次數:339
新的愛普科斯(EPCOS) 超緊湊型X2電容器，額定工作電壓為 275 V AC，容值范圍為33 nF ~ 1 μF。
新元件的一大亮點是超緊湊的尺寸，僅為4.0 × 9.0 × 13.0 mm (33 nF) ~ 10.5 × 16.5 × 26.5 mm (1 μF)，具體同樣取決于容值。
該型電容器通過UL、EN和IEC 60384-14:2013標準認證，采用阻燃等級為UL 94 V-0的外殼和灌封材料，最高工作溫度可達110 °C。
憑借超緊湊尺寸，該符合RoHS規定的新系列電容器廣泛適用于各種室內家電和消費類電子產品。
制造商:Infineon 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續漏極電流:3.6 A Rds On-漏源導通電阻:103 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V Qg-柵極電荷:4.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.3 W 通道模式:Enhancement 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:Infineon / IR 配置:Single 高度:1.1 mm 長度:2.9 mm 產品類型:MOSFET 工廠包裝數量3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 P-Channel 寬度:1.3 mm 零件號別名:IRLML9301TRPBF SP001568914 單位重量:8 mg
隨著嵌入式設備的種類和數量的增加，設備之間日益增長的互聯互通、制造商對安全的忽視、設備固件更新不及時或難以更新等，使得嵌入式設備的安全受到了嚴峻的考驗，越來越多的設備漏洞被披露。
但由于嵌入式設備種類繁多、專用性強、源碼或設計文檔往往不公開、運行環境受限等諸多因素的影響，通用漏洞挖掘技術無法直接適配。
嵌入式設備及其固件的表現形式、分類及獲取方法、面臨的安全攻擊層面以及自動化解析情況進行了深入研究。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
新的愛普科斯(EPCOS) 超緊湊型X2電容器，額定工作電壓為 275 V AC，容值范圍為33 nF ~ 1 μF。
新元件的一大亮點是超緊湊的尺寸，僅為4.0 × 9.0 × 13.0 mm (33 nF) ~ 10.5 × 16.5 × 26.5 mm (1 μF)，具體同樣取決于容值。
該型電容器通過UL、EN和IEC 60384-14:2013標準認證，采用阻燃等級為UL 94 V-0的外殼和灌封材料，最高工作溫度可達110 °C。
憑借超緊湊尺寸，該符合RoHS規定的新系列電容器廣泛適用于各種室內家電和消費類電子產品。
制造商:Infineon 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續漏極電流:3.6 A Rds On-漏源導通電阻:103 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V Qg-柵極電荷:4.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.3 W 通道模式:Enhancement 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:Infineon / IR 配置:Single 高度:1.1 mm 長度:2.9 mm 產品類型:MOSFET 工廠包裝數量3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 P-Channel 寬度:1.3 mm 零件號別名:IRLML9301TRPBF SP001568914 單位重量:8 mg
隨著嵌入式設備的種類和數量的增加，設備之間日益增長的互聯互通、制造商對安全的忽視、設備固件更新不及時或難以更新等，使得嵌入式設備的安全受到了嚴峻的考驗，越來越多的設備漏洞被披露。
但由于嵌入式設備種類繁多、專用性強、源碼或設計文檔往往不公開、運行環境受限等諸多因素的影響，通用漏洞挖掘技術無法直接適配。
嵌入式設備及其固件的表現形式、分類及獲取方法、面臨的安全攻擊層面以及自動化解析情況進行了深入研究。
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