晶體管 SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET - 單

晶體管 SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET - 單屬性

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晶體管 SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET - 單描述

SI2301CDS-T1-GE3介紹：

描述 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

制造商標準提前期 32 周

詳細描述 表面貼裝 P 溝道 20V 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包裝 帶卷（TR）

零件狀態 在售

FET 類型 P 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 20V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 3.1A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 112 毫歐 @ 2.8A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 405pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 860mW（Ta），1.6W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）

封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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晶體管在電路最常用的用途應該是屬于信號放大這一方面，其次是阻抗匹配、信號轉換等，晶體管在電路中是個很重要的元件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。



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