晶體管 SI4477DY-T1-GE3 半導體產品

晶體管 SI4477DY-T1-GE3 半導體產品屬性

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晶體管 SI4477DY-T1-GE3 半導體產品描述

SI4477DY-T1-GE3介紹：
描述 MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 20V 26.6A（Tc） 3W（Ta），6.6W（Tc） 8-SO
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 26.6A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 6.2 毫歐 @ 18A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 190nC @ 10V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4600pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3W（Ta），6.6W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：

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無論多么優良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍，稱得起永久性器件的美名。

在二十世紀五十年代，物理學家同時也是現任威世公司的主席和首席技術及業務拓展主管Felix Zandman博士獲得了PhotoStress®涂層和儀表的專利。

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