晶體管 FQD2N60CTM 半導體產品

晶體管 FQD2N60CTM 半導體產品 屬性

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晶體管 FQD2N60CTM 半導體產品 描述

FQD2N60CTM介紹：

描述 MOSFET N-CH 600V 1.9A

制造商標準提前期 11 周

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 600V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON Semiconductor

系列 QFET®

包裝 帶卷（TR）

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 1.9A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 4.7 歐姆 @ 950mA，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 12nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 235pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），44W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 D-Pak

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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