晶體管 SUD50N03-06AP-E3 半導體產品

晶體管 SUD50N03-06AP-E3 半導體產品屬性

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晶體管 SUD50N03-06AP-E3 半導體產品描述

SUD50N03-06AP-E3介紹：

描述 MOSFET N-CH 30V 90A TO252

制造商標準提前期 33 周

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 90A（Tc） 10W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包裝 帶卷（TR）

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 90A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 5.7 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 95nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3800pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 10W（Ta），83W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 TO-252，（D-Pak）

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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在模擬電路中，晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩壓電路；在計算機電源中，主要用于開關電源。晶體管也應用于數字電路，主要功能是當成電子開關。數字電路包括邏輯門、隨機存取內存（RAM）和微處理器。晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值



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