SBD產品致力于擴充支持更大電流更高電壓和小型化的陣容
發布時間:2024/4/6 18:31:33 訪問次數:64
與同等性能產品相比，RBR系列的芯片尺寸更小，使得ROHM小型封裝的產品陣容得以進一步擴充。
例如，以往3.5mm×1.6mm尺寸（PMDU封裝）的產品，現在可以替換為RBR系列2.5mm×1.3mm尺寸（PMDE封裝）的產品，這樣可以減少約42%的安裝面積。
進一步增強了滿足VF特性和IR特性平衡需求的SBD產品陣容，并致力于擴充支持更大電流、更高電壓和小型化的產品陣容。
有D（EIA 7343-31）和V（EIA 7343-20）兩種小型封裝版本，2.5V至35V額定電壓下，容量為6.8µF至330µF，容量公差為20%。電容器采用高導電聚合物陰極系統，+25°C條件下，超低ESR從120mΩ下降到40mΩ。
T51系列器件設計牢固，適用于各種惡劣環境，工作溫度可達+125°C，溫度超過+105 °C時需降低工作電壓，高溫使用壽命達到2000小時。
電容器紋波電流達到2.37A，是高級駕駛輔助系統（ADAS）、信息娛樂系統以及其他車載電子系統開關電源和負載點（POL）電源去耦、平滑和濾波電容的理想選擇。
MLX90423采用Melexis Triaxis®霍爾技術,可在需要抑制雜散磁場干擾的情況下，實現高達30mm的線性位移（絕對線性）。這種精度通常只能通過先進的感應技術才能實現。
MLX90423是一款高度集成的磁位置傳感器芯片，包含一個Triaxis®霍爾磁感前端、一個模數信號調節器、一個用于高級信號處理的DSP和一個可編程的輸出?肚鰲?
通過感應施加到芯?系拇?感應強度的三個分量（Bx、By和Bz），MLX90423可以解碼線性移動磁體的絕對位置。
與同等性能產品相比，RBR系列的芯片尺寸更小，使得ROHM小型封裝的產品陣容得以進一步擴充。
例如，以往3.5mm×1.6mm尺寸（PMDU封裝）的產品，現在可以替換為RBR系列2.5mm×1.3mm尺寸（PMDE封裝）的產品，這樣可以減少約42%的安裝面積。
進一步增強了滿足VF特性和IR特性平衡需求的SBD產品陣容，并致力于擴充支持更大電流、更高電壓和小型化的產品陣容。
有D（EIA 7343-31）和V（EIA 7343-20）兩種小型封裝版本，2.5V至35V額定電壓下，容量為6.8µF至330µF，容量公差為20%。電容器采用高導電聚合物陰極系統，+25°C條件下，超低ESR從120mΩ下降到40mΩ。
T51系列器件設計牢固，適用于各種惡劣環境，工作溫度可達+125°C，溫度超過+105 °C時需降低工作電壓，高溫使用壽命達到2000小時。
電容器紋波電流達到2.37A，是高級駕駛輔助系統（ADAS）、信息娛樂系統以及其他車載電子系統開關電源和負載點（POL）電源去耦、平滑和濾波電容的理想選擇。
MLX90423采用Melexis Triaxis®霍爾技術,可在需要抑制雜散磁場干擾的情況下，實現高達30mm的線性位移（絕對線性）。這種精度通常只能通過先進的感應技術才能實現。
MLX90423是一款高度集成的磁位置傳感器芯片，包含一個Triaxis®霍爾磁感前端、一個模數信號調節器、一個用于高級信號處理的DSP和一個可編程的輸出?肚鰲?
通過感應施加到芯?系拇?感應強度的三個分量（Bx、By和Bz），MLX90423可以解碼線性移動磁體的絕對位置。
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