晶體管 APT5010B2FLLG FET

晶體管 APT5010B2FLLG FET屬性

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晶體管 APT5010B2FLLG FET描述

APT5010B2FLLG介紹：
描述 MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 20 周
詳細描述 通孔 N 溝道 500V 46A（Tc） 520W（Tc） T-MAX™ [B2]
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Microsemi Corporation
系列 POWER MOS 7®
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 500V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 46A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 100 毫歐 @ 23A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 95nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4360pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 520W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 T-MAX™ [B2]
封裝/外殼 TO-247-3 變式
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場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。根據三極管的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。

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