晶體管 TK16J60W,S1VQ 半導體產品

晶體管 TK16J60W,S1VQ 半導體產品屬性

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晶體管 TK16J60W,S1VQ 半導體產品描述

TK16J60W,S1VQ介紹：
描述 MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 通孔 N 溝道 600V 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-3P（N）
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 DTMOSIV
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 15.8A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 190 毫歐 @ 7.9A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 790μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 38nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 300V
FET 功能 超級結
功率耗散（最大值） 130W（Tc）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-3P（N）
封裝/外殼 TO-3P-3，SC-65-3
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：

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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態下使用，晶體管內部的結構會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規格表或是Data Sheet得知。

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