晶體管 FDA33N25 MOSFET

晶體管 FDA33N25 MOSFET屬性

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晶體管 FDA33N25 MOSFET描述

FDA33N25介紹：
描述 MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 6 周
詳細描述 通孔 N 溝道 250V 33A（Tc） 245W（Tc） TO-3PN
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 UniFET™
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 250V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 33A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 94 毫歐 @ 16.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 46.8nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 245W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-3PN
封裝/外殼 TO-3P-3，SC-65-3
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要使增強型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間加正電壓VDS，則產生正向工作電流ID。改變VGS的電壓可控制工作電流ID。

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