CSD19538Q3A

發布時間：2020/12/3 14:05:00
所屬類別：三極管 » 其他三極管
公司：深圳市川藍電子科技有限公司
聯系人：彭小姐

CSD19538Q3A屬性

本站價格：優勢
用途：晶體管
規格：MOSFET
市場價格：優勢
生產廠家：TI

CSD19538Q3A描述

制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
RoHS:無鉛環保
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VSONP-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 14.4 A
Rds On-漏源導通電阻: 61 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.2 V
Qg-柵極電荷: 4.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.8 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
封裝: Reel
配置: Single
高度: 0.9 mm
長度: 3.15 mm
系列: CSD19538Q3A
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3 mm
商標: Texas Instruments
下降時間: 2 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 3 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 7 ns
典型接通延遲時間: 5 ns
單位重量: 27.300 mg

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