TJ40S04M3L
- 發布時間：2021/9/30 11:43:40
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市百潤電子有限公司
- 聯 系 人：梁小姐
TJ40S04M3L屬性
- 0
- TOSHIBA
TJ40S04M3L描述
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導通電阻: 9.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 83 nC
最小工作溫度: -
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 68 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Toshiba
下降時間: 150 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 46 ns
系列: UMOS VI
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 465 ns
典型接通延遲時間: 63 ns
零件號別名: TJ40S04M3L,LXHQ(O
單位重量: 360 mg
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聯系方式
- 聯系人：梁小姐
- 地 址：華強廣場B座7樓001室
- 郵 編：518000
- 電 話：17876146278/1581408197
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