IKW75N60T

IKW75N60T屬性

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IKW75N60T描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 1.5 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 80 A
Pd-功率耗散: 428 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: Trenchstop IGBT3
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
集電極連續電流: 80 A
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
高度: 21.1 mm
長度: 16.03 mm
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 30
子類別: IGBTs
商標名: TRENCHSTOP
寬度: 5.16 mm
零件號別名: SP000054889 IKW75N6TXK IKW75N60TFKSA1
單位重量: 38 g

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