PHKD6N02LT /T3

PHKD6N02LT /T3屬性

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PHKD6N02LT /T3描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: NXP
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 10.9 A
Rds On-漏源導通電阻: 20 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 4.17 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
商標: NXP Semiconductors
配置: Dual
下降時間: 23 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 49 ns
2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
典型關閉延遲時間: 50 ns
典型接通延遲時間: 15 ns
零件號別名: PHKD6N02LT,518
單位重量: 750 mg

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