BFG424F T/R

BFG424F T/R屬性

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BFG424F T/R描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: NXP
產品種類: 射頻(RF)雙極晶體管
晶體管類型: Bipolar
技術: Si
晶體管極性: NPN
工作頻率: 25000 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min: 50
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 4.5 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: 1 V
集電極連續電流: 0.03 A
最大工作溫度: + 150 C
配置: Single
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-343
封裝: Reel
商標: NXP Semiconductors
集電極—基極電壓 VCBO: 10 V
高度: 0.75 mm
長度: 2.2 mm
Pd-功率耗散: 135 mW
產品類型: RF Bipolar Transistors
3000
子類別: Transistors
類型: RF Bipolar Small Signal
寬度: 1.35 mm
零件號別名: BFG424F,115

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