MT47H32M16NF-25E:H

MT47H32M16NF-25E:H屬性

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MT47H32M16NF-25E:H描述

是否無鉛 不含鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1472562965
零件包裝代碼 BGA
包裝說明 TFBGA, BGA84,9X15,32
針數 84
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.32.00.28
Factory Lead Time 53 weeks 1 day
風險等級 1.71
Samacsys Description IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
Samacsys Manufacturer Micron
Samacsys Modified On 2021-11-15 06:26:41
YTEOL 4.75
訪問模式 FOUR BANK PAGE BURST
最長訪問時間 0.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
最大時鐘頻率 (fCLK) 400 MHz
I/O 類型 COMMON
交錯的突發長度 4,8
JESD-30 代碼 R-PBGA-B84
JESD-609代碼 e1
長度 12.5 mm
內存密度 536870912 bit
內存集成電路類型 DDR2 DRAM
內存寬度 16
功能數量 1
端口數量 1
端子數量 84
字數 33554432 words
字數代碼 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作溫度 85 °C
最低工作溫度
組織 32MX16
輸出特性 3-STATE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 TFBGA
封裝等效代碼 BGA84,9X15,32
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流溫度（攝氏度） 260
電源 1.8 V
認證狀態 Not Qualified
刷新周期 8192
座面最大高度 1.2 mm
自我刷新 YES
連續突發長度 4,8
最大待機電流 0.01 A
子類別 DRAMs
最大壓擺率 0.215 mA
最大供電電壓 (Vsup) 1.9 V
最小供電電壓 (Vsup) 1.7 V
標稱供電電壓 (Vsup) 1.8 V
表面貼裝 YES
技術 CMOS
溫度等級 OTHER
端子面層 Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式 BALL
端子節距 0.8 mm
端子位置 BOTTOM
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
寬度 8 mm

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